AIXTRON G5 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Высокотемпературный планетарный реактор пятого поколения от компании AIXTRON
  • Подложки:

AIXTRON AIX G5 WW: 12х4”, 8×6”

AIXTRON AIX G5 HT: 56×2”, 14×4”, 8×6”, 5×8”

AIXTRON AIX G5+C: 6”, 8”

AIXTRON AIX G5+: 8”

  • Температура роста:

AIXTRON AIX G5 WW: 1500° – 1700°C

AIXTRON AIX G5 HT: 1200° – 1300°C

AIXTRON AIX G5+C: 1200° – 1300°C

AIXTRON AIX G5+: 1200° – 1300°C

  • Применение:

AIXTRON AIX G5 WW: Материалы на основе SiC

AIXTRON AIX G5 HT: Материалы на основе GaN

AIXTRON AIX G5+C: Материалы на основе GaN

AIXTRON AIX G5+: Материалы на основе GaN

  • Система AIX G5 HT на платформе MOCVD нового поколения показала высочайшее качество выращивания слоев GaN при очень больших скоростях роста и при высоком давлении (свыше 600 мбар), а также превосходную однородность слоев GaN/InGaN.
  • Реактор MOCVD на платформе нового поколения AIX G5 HT вмещает абсолютно рекордное количество подложек (56×2” или 14×4” или 8×6” или 5×8”) и имеет революционные особенности дизайна реактора, позволяющие работать на больших скоростях роста и осуществлять последовательные ростовые циклы без отжига реактора и замены каких-либо деталей. Все это обеспечивает высочайшее качество продукции при более чем удвоенной производительности по сравнению с предыдущими поколениями реакторов.
  • Реактор новой конструкции AIX G5 HT обладает высокой гибкостью ростового процесса при превосходной стабильности. Системы AIX G5 HT обеспечивают наименьшее время производства при высокой воспроизводимости от реактора к реактору, что ускоряет расширение производства по сравнению с любыми другими реакторами путем простого копирования рецепта при переносе процесса. Это является ключевым фактором в условиях быстро расширяющегося спроса при ограниченном количестве специалистов-технологов.

Нитриды 3-й группы периодической системы благодаря своим свойствам являются лидирующим материалом для изготовления сверхярких синих, зеленых, ультрафиолетовых и белых светодиодов, а также синих/фиолетовых лазерных диодов. Благодаря своей физической и радиационной стойкости, химической стабильности и инертности они идеально подходят для применений в космическом пространстве, при высоких температурах, высоких давлениях, высоких мощностях. На их основе созданы солнечно-слепые фотодетекторы, биологические и химические сенсоры, различные типы транзисторов с высоким напряжением пробоя и др.

AIXTRON G5 MOCVD

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.