AIXTRON 2400/G3 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Планетарный реактор
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
  • Подложки:

AIXTRON 2400/G3: 35 x 2″

AIXTRON 2400/G3 HT: 11 x 2″

AIXTRON 2400/G3 HT-L: 19 x 2″

  • Температура роста:

AIXTRON 2400/G3: 850°C

AIXTRON 2400/G3 HT: 1200° – 1300°C

AIXTRON 2400/G3 HT-L: 1200° – 1300°C

Применение:

AIXTRON 2400/G3: Материалы на основе As/P

AIXTRON 2400/G3 HT: Материалы на основе GaN

AIXTRON 2400/G3 HT-L: Материалы на основе GaN

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.