AIXTRON 2400/G2 MOCVD

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Планетарный реактор
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
  • Подложки: 11 x 2″
  • Температура роста: 850°C
  • Применение: Материалы на основе As/P

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.