AIXTRON 2000 HT MOCVD

  • НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений А3В5
  • Применение: GaN, AlGaN, GaInN
  • Планетарный реактор
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
  • Загрузка: 6×2″
  • Температура роста: до 1200°C. Диапазон может быть расширен при применении специальных конструкционных материалов
  • Используется для производства УФ светодиодов, лазеров

 

 

 

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.