AIXTRON 200 R2 MOCVD

  • НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии
  • Применение: материалы на основе As/P
  • Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
  • Загрузка: 3×2″
  • Температура роста: до 850°C.

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.