AIXTRON 200 MOCVD

  • НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений
  • Применение: материалы на основе GaAs и InP, соединения А2В6, сверхпроводники
  • Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
  • Загрузка: 1×2″
  • Температура роста: до 850°C. Диапазон может быть расширен при применении специальных конструкционных материалов

 

 

 

 

 

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.