AIXTRON 200/4 MOCVD

  • НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений А3В5
  • Применение: материалы на основе GaAs и InP
  • Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
  • Загрузка: 1×2″, 1×3″, 1×4″, 3×2″
  • Температура роста: до 850°C. Диапазон может быть расширен при применении специальных конструкционных материалов

 

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.