AIXTRON R6 MOCVD

  • Новая система мос-гидридной эпитаксии для производства светодиодов
  • Материалы на основе GaN
  • Система параметров оптимизированных для массового производства
  • Система оснащена многочисленными техническими новшествами повышающими конкурентоспособность
  • Малое время для запуска производства
  • Малая стоимость владения
  • Большая мощность реактора, загрузка 121×2”, 31×4”, 12х6”
  • Максимальная пропускная способность
  • Автоматизированная загрузка носителя и разгрузка при высокой температуре
  • Непрерывная длительная работа без ремонта
  • Дружественный интерфейс оператора пользователя

Процесс контроля:

  • Модульная компоновка, высокая скорость передачи данных внутри ТТС по LayTec
  • Динамический щуп контроля температуры (ТТС)
  • Устраняет колебания температуры для увеличения воспроизводимости и выхода
  • Позволяет сократить время цикла
  • Быстрая калибровка по LayTec

к списку