AIXTRON 200 RF MOCVD

• НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений А3В5
• Применение: материалы на основе GaN
• Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
• Загрузка: 1×2″
• Температура роста: до 1200°C. Диапазон может быть расширен при применении специальных конструкционных материалов

к списку