TNSC SR2000 MOCVD

Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства и НИОКР
Для широкого спектра полупроводниковых материалов, УФ-светодиодов, полевых транзисторов, НЕМТ, HBT, идеально для GaN
Кассеты для пластин: 1 x 2″
Увеличенные интервалы между техническим обслуживанием за счет оптимизации подачи газовых потоков газа внутри каналов
Стабилизация параметров нагрева
Опция высокой температуры (HT)
Тип реактора: 2″ горизонтальный поворотный токоприемник
Пластины: лицевой стороной вверх
Материал реактора: Нержавеющая сталь

Обратная связь