TNSC MOCVD SR23К

Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства
Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaN
Кассеты для пластин: 10 x 2″ или 8 х 3”;
Увеличенные интервалы между техническим обслуживанием за счет оптимизации подачи газовых потоков газа внутри каналов
Стабилизация параметров нагрева
Опция высокой температуры (HT)
Тип реактора: горизонтальный поворотный токоприемник
Пластины: лицевой стороной вверх

Обратная связь