TNSC HR6000 MOCVD

  • Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
  • Система мос-гидридной эпитаксии для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
  • Кассеты для пластин:  7 х 2”
  • Стабилизация параметров нагрева
  • Опция высокой температуры (HT)
  • Материал реактора: нержавеющая сталь
  • Тип реактора: 8″ горизонтальный поворотный токоприемник
  • Пластины: лицевой стороной вниз

к списку