GEMINI 3E CVD

Установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
Двухкамерный эпитаксиальный реактор
Единая система управления для управления параллельной работой реакторов.
Размер обрабатываемых пластин: 4″, 5″, 6″
Линия подачи отрегулирована на подачу газа-носителя кремния и две линии подачи легирующей смеси
Газы и легирующие смеси: N2, H2, SiHCl3, PH3, HCl
Типовая температура роста: 1150°C
Потребляемая мощность при 1550°C: 28,5кВт
ВЧ генератор индукционного нагревателя: 380 В, 3 фазы, 152 кВА
Скруббер: 220 В, 1 фаза, 9 кВА
Установка: 220 В, 1 фаза, 40A, 8.8 кВА
Водяная система охлаждения

Обратная связь