AIXTRON 2600 G3 MOCVD

AIXTRON 2600 G3 HT                                                    AIXTRON 2600 G3 IC

AIXTRON 2600 G3 R                                                      AIXTRON 2600 G3 TM

Планетарный реактор AIXTRON 2600 G3     

  • Установка мос-гидридной эпитаксии
  • Высокотемпературный планетарный реактор третьего поколения от компании AIXTRON
  • Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются — облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой
  • Подложки:

AIXTRON 2600 G3 TM: 49×2”, 12×4”, 7×6″

AIXTRON 2600 G3 R: 7×2″

AIXTRON 2600 G3 HT: 24×2”, 8×4”

AIXTRON 2600 G3 HT IC: 24×2″, 12×3″

AIXTRON 2600 G3 IC: 5×6″, 7×6″, 12×4″, 18×3″

  • Температура роста:

AIXTRON 2600 G3 TM: 850°C

AIXTRON 2600 G3 R: 850° — 1200°C

AIXTRON 2600 G3 HT: 1200° — 1300°C

AIXTRON 2600 G3 HT IC: 1200° — 1300°C

AIXTRON 2600 G3 IC: 1200° — 1300°C

  • Применение:

AIXTRON 2600 G3 TM: Материалы на основе As/P

AIXTRON 2600 G3 R: Материалы на основе AlGaInP

AIXTRON 2600 G3 HT: Материалы на основе GaN

AIXTRON 2600 G3 HT IC: Материалы на основе GaN

AIXTRON 2600 G3 IC: Материалы на основе GaN

Система AIXTRON 2600 G3 TM используется:

  • для производства эпитаксиальных материалов на основе InP для разработки и производства полупроводниковых лазеров большой мощности и детекторов высокоскоростной оптической передачи данных

Система AIXTRON 2600 G3 R используется:

  • для производства эпитаксиальных материалов на основе арсенида галлия (GaAs) для производства космических солнечных батарей
  • для производства эпитаксиальных материалов на основе AlGaInP для производства ультра-высокой яркости красных / оранжевых / желтых светоизлучающих диодов (UHB-LEDs).

Система AIXTRON 2600 G3 HT используется:

  • для производства эпитаксиальных материалов на основе GaN для разработки и производства HBTs, PHEMTs, MESFETs, лазеров, светодиодов, датчиков и вертикально-излучающих лазеров, используемых в волоконно-оптических системах связи, беспроводной и мобильной связи, оптических запоминающих устройствах, освещении, сигнализации, а также ряде других передовых технологий

к списку