AIXTRON 200 R2 MOCVD

• НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии
• Применение: материалы на основе As/P
• Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
• Загрузка: 3×2″
• Температура роста: до 850°C.

к списку