SENTECH Si ALD /  Si ALD LL (ALD/PEALD)

• Автоматическая установка термического / плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения с  ручной / шлюзовой загрузкой для НИОКР и мелкосерийного производства
• Назначение: термическое ALD Al₂O₃, ZnO, ZrO₂ и пр.; плазмоактивированное ALD  Al₂O₃, SiO₂, TiO₂, AlN, Pt и пр.; для создания рекомбинационных слоев в солнечных элементах, диффузионных барьеров в органической электронике, диэлектрических слоев затвора в транзисторах, пассивационных слоев в Li-ионных батареях
• Может работать как автономным модулем, так и в составе кластера
• Ручная загрузка либо загрузка через вакуумируемую загрузочную камеру (версия LL)
• Пластины:  до ø8”/200мм (в т.ч. ø2”, ø3”, ø4”, ø6”)
• Рабочая камера: из алюминиевого сплава
• Температура стенок рабочей камеры: до 150°C   
• Душевая система подачи реагентов
• Вариант плазмы (для PEALD): ICP с плоской тройной спиральной антенной (PTSA) для обеспечения однородной плазмы либо CCP
• Источник ВЧ: 300Вт, 13,56МГц
• Температура подложки: до 400°C   
• Газовая система: до 7 газовых линий с РРГ
• Применяемые газы: NH₃, O₂, O₃, N₂ и прочие
• Подача прекурсоров: до 4 линий
• Применяемые прекурсоры: ТМА, Н2О, TTIP и прочие
• Вакуумная система: безмасляный форвакуумный насос
• Система управления: компьютерная, с Windows 7
• Встроенный SENTECH эллипсометр QMS
• Электроэнергия: 400В, 3ф, 32А, 50Гц
• Очищенный сжатый воздух: 6 кг/см²
• Азот: (3÷4) кг/см², 25 л/процесс
• Вытяжная вентиляция: подключение к газовому шкафу – ø80мм, к насосам – DN 40 KF / DN 25 KF
• Габариты: 1800 x 680 x 1840 мм
• Опционно: нагрев подложки до 500°C; турбомолекулярный насос; линия подачи озона; перчаточная камера; дополнительные газовые линии;  дополнительные линии подачи прекурсоров и пр.

к списку