SENTECH Instruments

SENTECH SI 500 (ICP/RIE)

  • Автоматическая установка высокоскоростного травления индуктивно-связанной плазмой/реактивно-ионного травления с  шлюзовой загрузкой для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: высокоскоростное травление кремния для МЭМС, травление полупроводниковых соединений А3В5  (GaAs, InP, GaN, InSb), диэлектриков, кварца, стекла, соединений кремния (SiC, SiGe), металлов и пр.
  • Вакуумируемая алюминиевая загрузочная камера. Загрузка по одной пластине или группе пластин на носителе
  • Пластины:  ø3”, ø4”, ø6”, ø8”/200мм и высотой до 9 мм, оперативное управление температурой пластины за счет гелиевого охлаждения обратной стороны

далее


SENTECH SI 500-300 (ICP)

  • Автоматическая установка травления индуктивно-связанной плазмой с  шлюзовой загрузкой для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: травление полупроводниковых соединений А3В5  (GaAs, InP, GaN, InSb), диэлектриков, кварца, стекла, кремния (Si), соединений кремния (SiC, SiGe), металлов и пр.
  • Вакуумируемая алюминиевая загрузочная камера. Загрузка по одной пластине или частей пластин на носителе
  • Пластины:  ø12”/300мм, толщина подложки до 10мм, оперативное управление температурой пластины

далее


SENTECH 500 C (ICP/RIE)

  • Автоматическая установка реактивно-ионного криогенного травления в индуктивно-связанной плазме с  шлюзовой загрузкой для НИОКР и пилотного производства
  • Назначение: высокоскоростное плазмо-химическое травление кремния при производстве МЭМС и микрооптики
  • Вакуумируемая алюминиевая загрузочная камера. Загрузка по одной пластине или частей пластин на носителе
  • Пластины:  ø4”, ø6”, ø8”/200мм, толщина подложки до 10мм, оперативное управление температурой пластины за счет гелиевого охлаждения обратной стороны

далее


SENTECH Etchlab 200 (RIE)

  • Автоматическая установка реактивно-ионного травления с  открытой загрузкой для НИОКР
  • Назначение: травление полупроводниковых соединений А3В5, Si, SiO2, металлов (Au, Pt, Ti, Ni) и полимеров
  • Загрузка: непосредственно в рабочую камеру на электрод или на носитель. Загрузка по одной пластине или группе пластин на носителе
  • Пластины:  от 100мм до 200мм, оперативное управление температурой пластины за счет водяного охлаждения обратной стороны

далее


SENTECH SI 591 compact (RIE)

  • Автоматическая однореакторная установка реактивно-ионного травления с  шлюзовой загрузкой для НИОКР
  • Назначение: травление полупроводниковых соединений А3В5 (GaAs, InP, GaN, InSb), диэлектриков (SiO2, Si3N4), кварца, стекла, кремния (Si), соединений кремния (SiC, SiGe), металлов
  • Загрузка: через вакуумный загрузочный шлюз, использование фтор- и хлорсодержащих газов . Загрузка по одной пластине или группе пластин на носителе
  • Пластины:  от 100мм до 200мм, оперативное управление температурой пластины за счет водяного охлаждения обратной стороны

далее


SENTECH Depolab 200 (PECVD)

  • Автоматическая установка плазмоактивированного химического осаждения с прямой загрузкой для НИОКР
  • Назначение: осаждение SiOх, SiNу, SiOxNу и a-Si
  • Прямая загрузка по одной пластине или группе пластин (частей пластин) на носителе
  • Пластины:  ø2”, ø3”, ø4”, ø6”, ø8”, оперативное управление температурой пластины

далее


SENTECH SI 500 D (ICPECVD)

  • Автоматическая установка высокоскоростного плазмохимического осаждения индуктивно-связанной плазмой с  шлюзовой загрузкой для НИОКР и пилотного производства
  • Назначение: высокоскоростное низкотемпературное осаждение диэлектриков  (SiO2, SiNx, SiONx) и a-Si, а также TEOS, SiC и других материалов из жидких и газообразных прекурсоров; возможно осаждение полупроводниковых соединений А3В5
  • Вакуумируемая алюминиевая загрузочная камера. Загрузка по одной пластине или группе пластин на носителе
  • Пластины:  ø3”, ø4”, ø6”, ø8”/200мм, оперативное управление температурой пластины за счет гелиевого охлаждения обратной стороны

далее


SENTECH SI 500 PPD (ICPECVD)

  • Автоматическая установка плазмохимического осаждения индуктивно-связанной плазмой с  шлюзовой загрузкой для НИОКР
  • Назначение: осаждение диэлектриков  (SiOх, SiNу, SiOxNу)
  • Вакуумируемая алюминиевая загрузочная камера. Загрузка по одной пластине или группе пластин на носителе
  • Пластины:  ø2”, ø3”, ø4”, ø6”, ø8”, оперативное управление температурой пластины

далее

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.