SAMCO RIE-600iP (ICP)

• Специализированная установка травления оксида и карбида кремния индуктивно-связанной высокоплотной плазмой с  загрузочным блоком для НИОКР и производства
• Назначение: изготовление SiO₂ шаблонов (высокоскоростное травление SiO₂) и высокоскоростное травление SiC для производства мощных приборов на SiC; производство оптических устройств (оптических волноводов и микролинз); производство микроканалов;  производство различных датчиков 
• Перемещение пластин: линейным вакуумным автоматическим манипулятором
• Пластины:  до 150 мм
• Электроды: ИСП –электрод (верхний) — Planar ICP Coil, нижний – регулируемый по высоте электрод. Высоковольтный электростатический держатель пластины с гелиевым охлаждением обратной стороны
• Источник ИСП: 3000Вт, 13,56МГц, с автоматическим согласованием сопротивления. Источника смещения – 600/1000/300Вт, 13,56МГц, с автоматическим согласованием сопротивления
• Газовая система: газовые линии с РРГ
• Применяемые газы: SF₆, O₂, Ar, Не, N₂ и прочие
• Вакуумная система: высокопроизводительная; турбомолекулярный насос и роторный форвакуумный насосы
• Система управления: компьютеризированная сенсорная панель обеспечивает контроль за параметрами процесса
• Габариты: (993x1511x1750) мм
• Окончание процесса: визуально/по интерферометру
• Опционно: до 8 газовых линий

к списку