Versalock

• Кластерная установка с загрузкой «из кассеты в кассету» выпускалась в следующих конфигурациях: ICP, RIE, DSE™, PECVD и HDPCVD

700 VLR (Versalock ) PECVD

• Установка плазмостимулированного осаждения из газовой фазы
• Подложки размером 4” (возможность использования для 8”)
• Содержит модули LM/TM и PECVD
• 5 цифровых регуляторов массового расхода (для примера: N₂,He, CF₄, SiH₄, резерв ; или NH₃, SiH₄, CF₄, N₂O, He)
• Источник RF-плазмы
• Вакуумный насос  Leybold DryVac 50P
• Электропитание: 208В, 60Гц, 3ф

700 VLR (Versalock) RIE

• Установка реактивно-ионного травления плазмой
• Подложки размером до 8”
• Содержит модули LM/TM и RIE
• 5 цифровых регуляторов массового расхода (для примера: O₂, Cl₂, Ar,CF₄,CHF₃)
• Источник RF-плазмы
• Вакуумныеt насосы  Leybold DryVac 50P и Leybold 361C turbo с контроллером NT20
• Электропитание: 208В, 60Гц, 3ф

700 Versalock ICP

• Двухреакторная установка травления высокоплотной индуктивно-связанной плазмой
• В одном реакторе производится травление хлорсодержащими компонентами, в другом реакторе — фторсодержащими компонентами
• Подложки размером до 6”
• Применяется при травлении: керамики (Lanthanum Calcium Manganese Oxide, Lanthanum Strontium Manganite, Lanthanum Strontium Manganese Oxide, Lithium Niobate); диэлектриков (Al₂O₃, HfO₂, IrO₂, La₂O₃, кварц, сапфир, SiO₂, Si₃N₄, Ta₂O₅, TiO₂); ферромагнетиков (GdN); металлов (Al, Sb, Cr, Gd, Au, Fe, Mo, Pd, Pt, Ta, Ti, TiAl, TiN, TiW, W); полупроводников (AlSb, AlGaAs, AlInAs, GaAs, GaN, Ge, InAs, InGaAs, InP, Si, SiC, SiGe); полимеров (резистов, углеродных нанотрубок, полидиоктилбитиофена); графена, фторированного графена, Mg₃As₂, оксид индия и олова, оксид цинка и олова

к списку