VERSALINE ICP/RIE

• Установка травления материалов в индуктивно-связанной плазме от НИОКР до крупносерийного производства.
• Подложки размером: 8х2”, 4х3”, одиночные от 3” до 8”
• Варианты загрузки: загрузка через шлюз (одиночные пластины или партия); кассетная загрузка пластин или образцов
• Библиотека стандартных технологических процессов травления: GaN, GaAs, AlGaP, InP, InGaAs, HgCdTe; SiC, Al₂O₃; Si, SiO₂, SiN_x; Cr, Ti, Al, TiN, TiW, Mo; фоторезист, полиимид
• 200-мм подложкодержатель (электрод) с контролем температуры, цифровые регуляторы массового расхода,  до 8 газовых каналов (4 – стандартно)
• Температура термостабилизируемого подложкодержателя (электрода) -40÷+180°C
• Источники: RIE — 600Вт 13,56 МГц (опционно до 40 МГц); ICP — 2000 Вт, 2 МГц (опционно 3500 Вт, 2 МГц), ICP-источник с температурным контролем.
• Комплексное управление оконечными устройствами с различными опционными измерительными устройствами, протокол внештатных ситуаций, различные уровни доступа пользователей, управление процессом в реальном времени с визуальным отображением данных на сенсорном мониторе
• Форвакуумный безмасляный насос 80 м³/ч, турбомолекулярный насос 1200 л/с, обеспечение вакуумом уровня 1,0х10^-6 торр
• Электропитание: 380В, 50Гц, 3ф; 200÷230В, 50/60Гц
• Габариты: 207,8х188,7х64,0см – вариант с автоматическим шлюзом

к списку