VERSALINE HDPCVD

• Установка низкотемпературного плазмохимического осаждения из газовой фазы от НИОКР до серийного производства с применением высокоплотной плазмы
• Подложки размером от 3” до 8”
• Варианты загрузки: загрузка через шлюз (одиночные подложки); кассетная загрузка пластин
• Библиотека стандартных технологических процессов осаждения: диэлектриков (SiO₂, SiN_x, SiO_xN_y); полупроводников (SiC, a-Si)
• Возможность легирования, автоматизированная программа очистки
• Подложкодержатель (электрод) со стабилизацией  температуры, цифровые регуляторы массового расхода,  до 8 газовых каналов (4 – стандартно)
• Температура подложкодержателя (электрода) 10÷180°C, температура стенок реактора и распылителя до 180°C
• Источники: RIE — 600Вт 13,56 МГц, ICP — 2000 Вт, 2 МГц (прогреваемый ICP-источник); комплексное управление оконечными устройствами с различными опционными измерительными устройствами, протокол внештатных ситуаций, различные уровни доступа пользователей, управление процессом в реальном времени с визуальным отображением данных на сенсорном мониторе
• Форвакуумный безмасляный насос 80 м³/ч, турбомолекулярный насос 1200 л/с, обеспечение вакуумом уровня 1,0х10^-6 торр
• Электропитание: 380В, 50Гц, 3ф
• Габариты: 207,8х188,7х64,0см – вариант с автоматическим шлюзом

к списку