VERSALINE DSE

• Установка глубокого травления кремния от НИОКР до серийного производства  МЭМС, динамических ОЗУ
• Подложки размером до 8”
• Варианты загрузки: загрузка через шлюз; кассетная загрузка пластин или образцов
• Библиотека стандартных технологических процессов травления: Si, SiO₂, Si₃N₄, SiO_xN_y; полиметилметакрилат, фоторезист, полиимид
• 200-мм подложкодержатель (электрод) со стабилизацией  температуры, цифровые регуляторы массового расхода,  до 8 газовых каналов (4 – стандартно)
• Температура термостабилизируемого подложкодержателя (электрода) -20÷+40°C (вариант: 10÷60°C)
• Источники: RIE — 100Вт 13,56 МГц; ICP – 3500 Вт, 2 МГц, ICP-источник с температурной стабилизацией
• Комплексное управление оконечными устройствами, протокол внештатных ситуаций, различные уровни доступа пользователей, управление процессом в реальном времени
• Форвакуумный безмасляный насос 80 м³/ч, турбомолекулярный насос 1200 л/с, обеспечение вакуумом уровня 1,0х10^-6 торр
• Электропитание: 380В, 50Гц, 3ф; 200÷230В, 50/60Гц
• Габариты: 207,8х188,7х64,0см – вариант с автоматическим шлюзом

к списку