ULVAC ENTRON-EX2 W-300 300мм

  • Автоматическая многокамерная установка физического осаждения из газовой фазы (напыления) для производства динамических ОЗУ (DRAM), флеш-памяти, магниторезистивных ОЗУ (MRAM), резистивных ОЗУ (ReRAM), ОЗУ на основе фазового перехода (PCRAM), сегнетоэлектрических ОЗУ (FeRAM), современных логических схем, КМОП светочувствительных матриц в серийном производстве.
  • Базируется на нескольких платформах: ENTRONTM-EX2 S-type(Single core type); ENTRONTM-EX2 T-type(Tandem type)
  • Назначение: напыление Al и Cu электропроводящих (в том числе – наноразмерных) дорожек, напыление барьерного слоя TI/TiN, напыление толстых слоев  силицида AL и Co/Ni и прочее
  • Пластины: ø300мм (кремниевые, полупроводниковые многокомпонентные, кварцевые)
  • Камеры для PVD и CVD/ALD процессов: S-type – до 6-ти, T-type – до 10-ти; камеры напыления, камеры химического осаждения, камеры предочистки до 4 (S-type) и до 8 (T-type); камеры дегазации, камеры охлаждения – до 2
  • Загрузочные шлюзы: 3; роботизированная система загрузки
  • Модули загрузки-разгрузки: 2 (транспортировочный робот EFEM для перемещения пластин: 2 – T-type; 1 – S-type)
  • Система нагрева пластин: температура процессов – до 450°С
  • Источник распыления: вращающийся магнетронный катод 12″ (мишени Ni, TiN, Co и прочие) типов Normal,  LTS,  MCS,  SIS, прочие;
  • Магнетронный источник питания постоянного тока
  • ВЧ-источник для напыления и травления (ICP)
  • Система контроля осаждаемых тонких пленок
  • Газовая система: газовые линии с РРГ
  • Применяемые газы: Ar, N2, H2, очищенный сжатый воздух и прочие
  • Охлаждающая вода: давление – (0,3÷0,5)МПа, температура – (20÷25)°C
  • Система управления: компьютерная
  • Вакуумная система: турбомолекулярный насос, крионасос, безмасляные форвакуумные насосы
  • Гелиевый криокомпрессор
  • Электроэнергия: 200/208В, 3ф, 50/60Гц
  • Опционно: катод с тройной пушкой, прочие

к списку

Scroll Up