SENTECH Si ALD /  Si ALD LL (ALD/PEALD)

  • Автоматическая установка термического / плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения с  ручной / шлюзовой загрузкой для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: термическое ALD Al2O3, ZnO, ZrO2 и пр.; плазмоактивированное ALD  Al2O3, SiO2, TiO2, AlN, Pt и пр.; для создания рекомбинационных слоев в солнечных элементах, диффузионных барьеров в органической электронике, диэлектрических слоев затвора в транзисторах, пассивационных слоев в Li-ионных батареях
  • Может работать как автономным модулем, так и в составе кластера
  • Ручная загрузка либо загрузка через вакуумируемую загрузочную камеру (версия LL)
  • Пластины:  до ø8”/200мм (в т.ч. ø2”, ø3”, ø4”, ø6”)
  • Рабочая камера: из алюминиевого сплава
  • Температура стенок рабочей камеры: до 150°C   
  • Душевая система подачи реагентов
  • Вариант плазмы (для PEALD): ICP с плоской тройной спиральной антенной (PTSA) для обеспечения однородной плазмы либо CCP
  • Источник ВЧ: 300Вт, 13,56МГц
  • Температура подложки: до 400°C   
  • Газовая система: до 7 газовых линий с РРГ
  • Применяемые газы: NH3, O2, O3, N2 и прочие
  • Подача прекурсоров: до 4 линий
  • Применяемые прекурсоры: ТМА, Н2О, TTIP и прочие
  • Вакуумная система: безмасляный форвакуумный насос
  • Система управления: компьютерная, с Windows 7
  • Встроенный SENTECH эллипсометр QMS
  • Электроэнергия: 400В, 3ф, 32А, 50Гц
  • Очищенный сжатый воздух: 6 кг/см2
  • Азот: (3÷4) кг/см2, 25 л/процесс
  • Вытяжная вентиляция: подключение к газовому шкафу – ø80мм, к насосам – DN 40 KF / DN 25 KF
  • Габариты: 1800 x 680 x 1840 мм
  • Опционно: нагрев подложки до 500°C; турбомолекулярный насос; линия подачи озона; перчаточная камера; дополнительные газовые линии;  дополнительные линии подачи прекурсоров и пр.

к списку

Scroll Up