SAMCO AL-1 (ALD)

  • Компактная установка  термического атомно-слоевого осаждения тонких пленок для НИОКР и пилотного производства
  • Назначение: осаждение AlOx и SiO2 – оксидных пленок затвора в полевых транзисторах GaN MOSFET, GaN MOS-HFET, 4H-SiC MOSFET и пассивирующих пленок для силовых устройств; формирование пленок на трехмерных структурах (МЭМС); нанесение пленок на поверхность лазера и пассивирующих пленок углеродных нанотрубок
  • Загрузка: прямая, открытая, ø4″ – 3шт., ø8″ – 1шт.
  • Температура подложкодержателя: до 500°C 
  • Скорость осаждения слоев при температуре 350°C: 1,2Å за цикл
  • Газовые линии с РРГ: O2, O3 (после озонатора), N2 и т.д.
  • Прекурсоры: ТМА, H2O и т.д.
  • Сжатый очищенный воздух
  • Вакуумная система: безмасляный форвакуумный насос
  • Система управления компьютерная
  • Габариты: основной блок – (900x1300x1355)мм, стойка управления – (570x630x1576)мм

к списку

Scroll Up