Plasma-Therm QuaZar Planetary IBE (IBE)

  • Высокопроизводительная установка ионнолучевого травления с технологией планетарного сканирования для серийного производства.
  • Технология планетарного сканирования – способность колебательно перемещать пластину через ионный пучок
  • Назначение: осуществление процессов травления при изготовлении магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM); фильтров поверхностно-аккустических волн (SAW), объемно-аккустических волн (BAW) и пленочных объемно-аккустических резонаторов (FBAR); оптических решеток, пьезоэлектрических МЭМС; для микроструктурирования и проведения анализ отказов
  • Подложки: от небольших образцов до пластин ø200 мм
  • Загрузка: высоковакуумная загрузочная система
  • Количество рабочих камер: 1 или 2
  • Вращающийся подложкодержатель с изменяющимся углом наклона и с контролем температуры
  • Угол наклона пластины: от 0° до -80°
  • Температура процесса: <50°C
  • Запатентованный источник IBE Plasma-Therm с энергией ионов (75÷900) эВ
  • Контроль ионного потока в диапазоне (0,1÷1) мА/см2
  • Применение удаленной низкоповреждающей плазмы, использование ВЧ индуктивно-связанной плазмы с 3 оптическими решетками для формирования ионных пучков
  • Наличие вспомогательного электрода
  • Двойной нейтрализатор плазменного моста (PBN)
  • Устройство предотвращения перенапыления
  • Рабочее давление: < 2 · 10-4 Торр
  • Использование микрозондовой масс-спектрометрии вторичных ионов для контроля точки окончания процесса

к списку

Scroll Up