Oxford Instruments FlexAL (ALD/RP-ALD)

  • Специализированная установка термического атомно-слоевого осаждения и атомно-слоевого осаждения с удаленным источником плазмы для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: осаждение сверхтонких и однородных слоев  Al2O3, AlN, TiN, TiO2, HfO2, HfN, ZrO2, Ta2O5, Er2O3, TaN, Ta3N5, SiO2, Pt, Ru и т. д. для квантовых устройств, HEMT, high-k подзатворных оксидов для пассивации графена, безпористого пассивирования для OLED и полимеров, пассивация солнечных элементов из кристаллического кремния, высокооднородных покрытий для микроструйных устройств и т.д.
  • Варианты исполнения: обособленные модули или в кластерной конфигурации
  • Варианты конфигураций FlexAL: FlexALRP (RP-ALD) / FlexALRPT (ALD/RP-ALD) / FlexALRPX (ALD/RP-ALD)
  • Загрузка-выгрузка подложек: ручная шлюзовая или кассетная автоматическая
  • Подложки: до ø 200 мм
  • Температура электрода-подложкодержателя: (25÷400)°С
  • Системы нагрева и водяного охлаждения, чилер
  • ICP-источник плазмы: 13,56 МГц, до 600Вт
  • Газовый шкаф с линиями подачи газа с РРГ, варианты: до 5, до 8, до 12
  • Применяемые газы: SF6, NH3, O2, H2, Ar, N2, очищенный сжатый воздух и прочие
  • Прогреваемые порты для жидких и твердых прекурсоров: до 2 / до 3 / до 4
  • Температура прогрева емкости с прекурсором: (30÷200)°С
  • Количество источников жидких и твердых прекурсоров: до 8 размером до 100г (для НИОКР) или до 500г (для производства)
  • Возможность подачи воды и озона
  • Высокоэффективная вакуумная система с форвакуумным и турбомолекулярным насосами (вариант зависит от конфигурации установки)
  • Компьютерная система управления
  • Электроэнергия: 400В, 3ф, 40А, 50/60Гц либо 208В, 3ф, 75А, 50/60Гц
  • Габариты: основной блок с загрузочной камерой и 4 шкафами прекурсоров – 2767 x 1668 x 1700 мм; газовый шкаф на 12 линий – 650 x 220 x 1412 мм
  • Вес: основной блок – 475 кг, газовый шкаф на 12 линий – 70 кг, трансформатор – 220 кг, шкаф прекурсоров –50 кг
  • Опционно: спектроскопический эллипсометр, масс-спектрометр, оптический эмиссионный спектрометр, система нагрева подложкодержателя до 550°С

к списку

Scroll Up