Oxford Instruments ATOMFAB (ALD/RP-ALD)

  • Специализированная установка атомно-слоевого осаждения для крупносерийного производства
  • Назначение: пассивация силовых устройств на GaN, осаждение подзатворного диэлектрика Al2O3 для HEMT, ВЧ-приборов и прочие
  • Варианты исполнения: обособленные модули или в кластерной конфигурации
  • Подложки: до ø 200 мм
  • Нижний электрод (подложкодержатель): ø 200 мм с системой нагрева до 400°C
  • Верхний электрод (источника плазмы): с нагревом до 200°C
  • Удаленный источник плазмы с контролируемой энергией ионов (0÷30) эВ
  • Встроенный газовый шкаф – линий подачи газа с РРГ: до 8 (12), из них с быстродействующими клапанами – до 5
  • Применяемые газы: SF6, NH3, C4F8, CF4, O2, Ar, N2, очищенный сжатый воздух и прочие
  • Источники прекурсоров: до 4-х размером 600мл или 1200 мл
  • Высокоэффективная вакуумная система с турбонасосом
  • Компьютерная система управления
  • Опционно для кластера: система автоматической загрузки пластин

к списку

Scroll Up