Mask Etcher Series

• Установка для производства фотошаблонов высокого разрешения с применением технологии индуктивно-связанной плазмы.
• В зависимости от модификации установки позволяет получать элементы с топологическим размером менее: 1 – 250нм, 2 – 180нм, 3 – (130?90)нм, 4 – (65?45)нм, 5 – (32? 22)нм
• Варианты загрузки: автоматизированная загрузочная станция; загрузка пластин из SMIF-контейнера через буферную зону
• Имеется возможность применять Cr, MoSi, кварц, ультрафиолетовое облучение, импринтные технологии
• Подложкодержатель (электрод) диаметром от 11? до 15,6?, цифровые регуляторы массового расхода,  до 8 газовых каналов
• Регулировка температуры в реакторе: <2?70°C
• Источник плазмы: ICP — 2000 Вт, 2 МГц
• Комплексное управление оконечными устройствами с различными опционными измерительными устройствами, протокол внештатных ситуаций, различные уровни доступа пользователей, управление процессом в реальном времени с визуальным отображением данных на мониторе
• Турбомолекулярный насос: ?1300 л/с
• Электропитание: 400В, 50/60Гц, 3ф; 200?230В, 50/60Гц, 3ф
• Габариты: ширина – 3623 мм, глубина — 4156 мм – для кластера с тремя модулями и блоком загрузки

к списку