Yield Engineering Systems

YES-ÉcoClean (ICP)

  • Компактная автоматическая установка травления нисходящей индуктивно-связанной плазмой и очистки поверхности для НИОКР и производства
  • Назначение: удаление фоторезиста , полиимида, органических загрязнений, оксида меди
  • Процессная камера: алюминиевая, (33,02х30,50х15,24) см, с водяным охлаждением
  • Пластины: (50÷ 200)мм (Si, GaAs, сапфир, керамика)

далее


YES-CV200RFS (Downstream)

  • Компактная автоматическая установка травления нисходящей плазмой низкой частоты и очистки поверхности для НИОКР и производства
  • Назначение: удаление фоторезиста , полиимида, органических загрязнений, очистка CD матриц, удаление непроявленного фоторезиста, подготовка поверхности
  • Процессная камера: алюминиевая, с принудительным воздушным охлаждением, внутренние размеры — (254х286х50) мм, обработка по одной пластине
  • Пластины и части пластин: (50÷ 200)мм (сдвоенные пластины/части пластин – до 2-х по 100мм)

далее


YES-G500 (Electron Free/Downstream/RIE)

  • Компактная автоматическая установка низкочастотной плазменной очистки поверхности для НИОКР и производства
  • Назначение: подготовка поверхности контактных площадок для сварки; удаление загрязнений (флюса) или стерилизация поверхностей; обеспечение адгезии между двумя поверхностями; получение гидрофильных поверхностей за счет изменения поверхностного напряжения; повышение биологической совместимости; улучшение параметров полимеров образованием поперечных связей для снижения трения в процессе работы приборов
  • Пять конфигураций камеры (электродов) для обеспечения различных видов обработки: режимы мягкой анизотропной обработки —  Electron Free/Downstream Mode (подложки на отдельном электроде под плавающим потенциалом, разрядная зона образована двумя отдельными сетчатыми электродами), Active Mode (подложка на заземленном электроде внутри разрядной зоны), RIE Mode (подложка на нагруженном электроде внутри разрядной зоны); режимы изотропной обработки —  Active Ion Trap (одложка между двумя нагруженными электродами, у подложки накаплеваются ионы, проходящие через сетчатые электроды), Downstream Ion Trap (подложка между двумя заземленными электродами)
  • Процессная камера: алюминиевая, внутренние размеры — (457х457х210) мм, две полки для обработки изделий  

далее


YES-G1000 (Electron Free/Downstream/RIE)

  • Компактная автоматическая установка низкочастотной плазменной очистки поверхности для производства
  • Назначение: подготовка поверхности контактных площадок для сварки; удаление загрязнений (флюса) или стерилизация поверхностей; обеспечение адгезии между двумя поверхностями; получение гидрофильных поверхностей за счет изменения поверхностного напряжения; повышение биологической совместимости; улучшение параметров полимеров образованием поперечных связей для снижения трения в процессе работы приборов
  • Пять конфигураций камеры (электродов) для обеспечения различных видов обработки: режимы мягкой анизотропной обработки —  Electron Free/Downstream Mode (подложки на отдельном электроде под плавающим потенциалом, разрядная зона образована двумя отдельными сетчатыми электродами), Active Mode (подложка на заземленном электроде внутри разрядной зоны), RIE Mode (подложка на нагруженном электроде внутри разрядной зоны); режимы изотропной обработки —  Active Ion Trap (одложка между двумя нагруженными электродами, у подложки накаплеваются ионы, проходящие через сетчатые электроды), Downstream Ion Trap (подложка между двумя заземленными электродами)
  • Процессная камера: алюминиевая, внутренние размеры — (457х457х305) мм, четыре полки (16”х16”) для обработки изделий

далее