Tystar LPCVD

LPCVD используется для осаждения тонких пленок из газовой фазы при давлении ниже атмосферного. Условия процесса обычно выбираются таким образом, чтобы скорость роста была ограничена скоростью поверхностной реакции, которая зависит от температуры. Температуру можно контролировать с высокой точностью, что обеспечивает превосходную однородность между пластинами. Tystar имеет многолетний опыт работы и репутацию в отрасли благодаря своему опыту в следующих процессах LPCVD:

  • DOPED POLYSILICON AND AMORPHOUS SILICON LPCVD
  • POLYSILICON LPCVD WITH SILANE (Si H4)
  • POLYSILICON LPCVD WITH DISILANE (Si2H6)
  • LTO, DOPED LTO, BPSG, BSG, AND PSG LPCVD
  • HTO LPCVD
  • TEOS LPCVD
  • SILICON NITRIDE LPCVD
  • SILICON GERMANIUM (Si-Ge) LPCVD
  • SIPOS (SEMI-INSULATING POLYCRYSTALLINE SILICON)
  • POLYCRYSTALLINE SILICON CARBIDE
  • EPITAXIAL SILICON
  • NANO MATERIALS LPCVD

к списку

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.