Trion Technology Orion III (PECVD)

• Компактная автоматическая установка плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы  для НИОКР и опытного производства
• Назначение: осаждение SiO_х, SiN_х, SiO_xN_у, a-Si без применения самовоспламеняющихся газов
• Пластины: от ø2″ до ø300мм, части пластин.Возможна групповая загрузка пластин, либо частей пластин
• Источник плазмы: 300/900Вт, 300/(360÷450)кГц (в зависимости от варианта поставки)
• Электроды из анодированного алюминия: нижний электрод — ø200мм либо ø300мм (зависит от варианта установки)
• Температура электрода-подложкодержателя: до 400°С
• Газовая система: до 8 газовых линий с РРГ, продувочный азот
• Применяемые газы: смеси с SiH₄ (<20%), NH₃, TEOS, диэтилсилан, N₂O, N₂, O₂, CF₄, и прочие
• Подача газов в реактор: через кольцевой распределитель либо через душевой распылитель
• Вакуумная система: турбомолекулярный (вариант) и форвакуумные насосы
• Система управления: компьютерная, с сенсорным экраном; наличие библиотеки процессов; автоматическая система управления давлением
• Опционно: система контроля напряженности пленок – дополнительный источник 600 Вт, 13,56МГц; различные варианты насосных систем; оперативное управление температурой подложкодержателя в диапазоне (50÷400)°С с помощью резистивного нагревателя с ИК-термопарой

к списку