Trion Technology Oracle III (RIE/RIE+ICP/PECVD)

  • Кластерная автоматическая установка реактивно-ионного травления/ реактивно-ионного травления  совместно с травлением индуктивно-связанной плазмой/ плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы  для НИОКР и опытного производства
  • Конфигурация: до 4 процессных камер, до 2 кассетных загрузчиков, ручной загрузочный шлюз
  • Назначение: травление фторсодержащими газами графита (С), кварца, эпоксидных компаундов, Si, GaAs/AlGaAs, InP, SixOу, SixNу, SixOуNz, SiC, Ir, Mo, Nb, Ta, W, TaN, TiW, TiN, органических тонких пленок, полиимидов; травление хлорсодержащими газами GaAs, AlGaAs, InAlGaN, InGaAs, InGaN, GaN, InP, Si, поли-Si, SiC, графита (С), Au, Cr, Cu, Ti, Pt, органических тонких пленок, LED MQMs, MEMS; осаждение SiOх, SiNх, SiOxNу, SiC, a-Si
  • Загрузка из кассет по одной пластине или группе пластин (частей пластин) на носителе через вакуумный шлюз с манипулятором и кассетным элеватором, либо ручная загрузка. Центральный робот для подачи пластин
  • Пластины: от ø3″ до ø300мм, части пластин.Возможна групповая загрузка пластин, либо частей пластин
  • Процессные камеры из анодированного алюминия; камеры травления со смотровым окном
  • Источники плазмы: RIE – до 600Вт, 13,56МГц,; ICP – до 1500Вт, 13,56МГц; PECVD – до 300Вт, 100кГц; автоматическая/ручная подстройка генераторов
  • Электроды из анодированного алюминия: нижний электрод – ø200мм либо ø300мм (зависит от варианта установки) с электростатическим (опционно) или механическим захватом, возможность гелиевого охлаждения подложкодержателя до (-30)°С
  • Газовая система: до 8 газовых линий с РРГ для каждой процессной камеры, продувочный азот
  • Применяемые газы: травление – Cl2, BCl3, SiCl4, SO2, O2, CO2, Ar, C2H6, CF4, CHF3, SF6, SF6, He, N2 и прочие; осаждение – SiH4, смеси с SiH4, NH3, TEOS, диэтилсилан, N2O, N2, O2, триметилсилан, CH4 и прочие
  • Подача газов в реактор: через кольцевой распределитель либо через душевой распылитель
  • Вакуумная система: каждая процессная камера – турбомолекулярный и форвакуумный насосы; система загрузки – форвакуумный насос
  • Вытяжная вентиляция от вакуумных насосов (3 х 280л/мин, 3 х 570л/мин, 1 х 850л/мин) и газовых шкафов (5,7 м3/мин каждый)
  • Рециркуляционный чиллер для охлаждения RIE процессной камеры, турбомолекулярных насосов и источника ICP
  • Система управления: компьютерная, с сенсорным экраном; наличие библиотеки процессов; автоматическая система управления давлением
  • Электроснабжение: установка – 208В, 3ф, 60Гц, 30А; насосы – 208В, 3ф, 60Гц, по 10А каждый
  • Охлаждающая вода: 2л/мин, 20°С (смесь этиленгликоля или ДИ воды или ДИ вода)
  • Размеры зоны для размещения установки (без газовых шкафов и вакуумных насосов): (2440x1830x1350) мм
  • Опционно: различные варианты насосных систем; оперативное управление температурой подложкодержателя; система измерения и оповещение об окончании процесса по лазерному интерферометру / оптическому эмиссионному спектрометру; электростатический прижим пластины с гелиевым охлаждением подложкодержателя; газобаллонные шкафы

к списку

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.