• Промышленные системы полного рентгеновского отражения
• Системы рентгено флюоресцентного анализа с полным внешним отражением  для промышленного применения в производстве полупроводников. Предназначена для  быстрого определение загрязнений на пластинах при производстве полупроводников, а так же определения концентрация и химического состава элементов на поверхности
• Эффективная инспекция в процессе определения загрязнений на различных стадиях при производстве полупроводников, например, очистки, вакуумного нанесения тонких пленок, экспонирования, травления и др.
• Кроме применений для полупроводников, системы могут быть использованы для сложных составных (из различных элементов) полупроводниковых приборов, МЭМС, органических электролюминесцентных материалов

далее

• Промышленные системы полного рентгеновского отражения
• Системы рентгено флюоресцентного анализа с полным внешним отражением  для промышленного применения в производстве полупроводников. Предназначена для  быстрого определение загрязнений на пластинах при производстве полупроводников, а так же определения концентрация и химического состава элементов на поверхности
• Эффективная инспекция в процессе определения загрязнений на различных стадиях при производстве полупроводников, например, очистки, вакуумного нанесения тонких пленок, экспонирования, травления и др.
• Кроме применений для полупроводников, системы могут быть использованы для сложных составных (из различных элементов) полупроводниковых приборов, МЭМС, органических электролюминесцентных материалов

далее

• Промышленные системы полного рентгеновского отражения
• Системы рентгено флюоресцентного анализ с полным внешним отражением  для применения в производстве полупроводников. Предназначена для  быстрого определение загрязнений на пластинах при производстве полупроводников, а так же определения концентрация и химического состава элементов на поверхности
• Эффективная инспекция в процессе определения загрязнений на различных стадиях при производстве полупроводников, например, очистки, вакуумного нанесения тонких пленок, экспонирования, травления и др.
• Кроме применений для полупроводников, системы могут быть использованы для сложных составных (из различных элементов) полупроводниковых приборов, МЭМС, органических электролюминесцентных материалов

далее

• Промышленные системы полного рентгеновского отражения
• Системы рентгено флюоресцентного анализ с полным внешним отражением  для применения в производстве полупроводников. Предназначена для  быстрого определение загрязнений на пластинах при производстве полупроводников, а так же определения концентрация и химического состава элементов на поверхности
• Эффективная инспекция в процессе определения загрязнений на различных стадиях при производстве полупроводников, например, очистки, вакуумного нанесения тонких пленок, экспонирования, травления и др.
• Кроме применений для полупроводников, системы могут быть использованы для сложных составных (из различных элементов) полупроводниковых приборов, МЭМС, органических электролюминесцентных материалов

далее

• Отдельно стоящая система разложения в газовой фазе (VPD)
• Система предназначена для концентрации поверхностных загрязнений в капли для последующего анализа на системах Рентгено флюоресцентного анализа с полным внешним отражением 
• Встроенная система автоматического разложения в газовой фазе (VPD)* для подготовки пластин и концентрации загрязнений в капле для последующего рентгеновского анализа.
• Использование подготовки VPD позволяет 100-кратно увеличить предел

далее

• Комбинированная промышленная система
• Аналитическая система объединяющая в себе рентгеновскую рефлектометрию, рентгенофлуоресцентный анализ и рентгеноструктурный анализ, позволяющие измерять: толщину, плотность, и состав пленок на пластинах с нанесенным диэлектрическим слоем и профилированных пластина
• Высокопотоковая система измерений для встраивания в полупроводниковое производство
• Возможность определения:
  • Толщины, плотности пленок
  • Шероховатости
  • Измерения состава, фазы, кристалличности, преимущественной ориентации
  • Исследование многослойных металлических и диэлектрических пленок

далее

• Промышленные системы дисперсионной рентгеновской спектроскопии с детектором для анализа по длине волны
• Система предназначена для одновременного определения толщины пленок и определения состава
• Система идеальна для измерения борофосфосиликатного стекла, фосфосиликатного стекла и металлических пленок, многослойных пленок, пленок электродов, пленок феродиэлектриков, FRAM, следующего поколения динамической памяти с произвольным доступом, пленок оксида кремния и др.
• Подходит для всех типов пленок

далее

• Промышленные системы дисперсионной рентгеновской спектроскопии с детектором для анализа по длине волны
• Система предназначена для одновременного определения толщины пленок и определения состава
• Система идеальна для измерения борофосфосиликатного стекла, фосфосиликатного стекла и металлических пленок, многослойных пленок, пленок электродов, пленок феродиэлектриков, FRAM, следующего поколения динамической памяти с произвольным доступом, пленок оксида кремния и др.
• Подходит для всех типов пленок

далее

• Система последовательной дисперсионной рентгеновской спектроскопии с детектором для анализа по длине волны
• Система предназначена для определения толщины пленок и определения состава для больших и тяжелых образцов, пластин и дисков с высоким разрешением.
• Размер образцов: диаметр до 400мм, толщина до 50мм, масса до 30кг
• Поле измерения: 30-0.5мм в диаметре

далее

• Система последовательной дисперсионной рентгеновской спектроскопии с детектором для анализа по длине волны
• Полностью автоматический рентгеновский дифрактометр (XRD) характеризации тонких пленок, наноматериалов и порошков с горизонтальным расположением исследуемого образца. Может применяться для определения различных параметров тонких пленок: композиционный анализ, анализ направления и ориентации, определение кристалличности, характеризация релаксации решетки, определение деформаций и остаточных напряжений решетки, анализ толщины пленки, шероховатости интерфейса, анализ плотности пленки, определение однородности в плоскости и т.д.
• Встроенный режим малоуглового рентгеновского рассеивания (SAXS) для экспериментально-расчетного анализа распределения по размерам наночастиц жидких дисперсий, экспериментально-расчетного анализа распределения по размерам наночастиц и пор тонких пленок и внутри массивных образцов, определения формы наночастиц и пор, экспериментально-расчетный анализ корреляционной функции распределения нерегулярной электронной плотности и т.д.
• Рентгеновская трубка: Cu, мощность 3 кВт,9 кВт (с вращающимся анодом)

далее