Riber MBE 7000

  • Серии: Multi-4″, Multi-6″, Multi-8″
  • Промышленная сверхвысоковакуумная МЛЭ система для эпитаксиального роста таких структур как канальные транзисторы Шотки (MESFETs), транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMTs), биполярных гетеротранзисторов (HBTs), оптоэлектронных устройств (лазеров)…
  • 13 мест для высокообъемных МЛЭ источников
  • GaAs
  • Размер обрабатываемых пластин — 4″, 6″, 8″
  • Загрузка подложек в кассету 140×4″ или 70×6″ или 40×8″
  • Выращивание подложек за один цикл 14×4″ или 7×6″ или 4×8″
  • Моторизованная подача и перенос подложек
  • Высокая производительность
  • Автоматическое управление эпитаксиальным процессом

к списку