MTI Corporation

MTI EQ-PCE-3

  • Компактная установка плазменной предочистки кристаллических подложек и удаления наноразмерных органических загрязнений
  • Назначение: проведение процессов очистки и удаления наноразмерных органических загрязнений на пластинах до 2” с использованием различных газов
  • Скорость удаления органических загрязнений – около 10 нм/мин при высоком уровне мощности RF-источника
  • Источник плазмы: RF-источник, 13,56 МГц, режимы 7 / 11 / 18 Вт

далее


MTI EQ-PCE-6

  • Среднеразмерная установка плазменной предочистки кристаллических подложек и удаления наноразмерных органических загрязнений
  • Назначение: проведение процессов очистки и удаления наноразмерных органических загрязнений на пластинах до 4” с использованием различных газов, в том числе перед процессами эпитаксии
  • Скорость удаления органических загрязнений – около 20 нм/мин при высоком уровне мощности RF-источника
  • Источник плазмы: RF-источник, 13,56 МГц, режимы 7,2 / 10,2 / 30 Вт (общая мощность источника < 100Вт)

далее


MTI PCE-44-LD

  • Компактная установка ультрафиолетовой озоновой очистки для очистки всех типов кристаллических подложек
  • Назначение: процессы очистки подложек (Si, Ge, GaAs и все оксиды кристаллических подложек), удаления и вскрытия фоторезиста, улучшения гидрофильности поверхностей, очистки образцов для сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, УФ-активации полимеров; очистка носителей, МЭМС; отверждение адгезионных покрытий; окисление полидиметилсилоксана; УФ-формирование рисунка на поверхности; травление; стерилизация поверхностей
  • Бескислотная, сухая, неразрушающая атомная очистка и удаление органических загрязнений за счет УФ-излучения с длиной волн 185 нм и 254 нм
  • Ручная загрузка-выгрузка подложек, выдвижная панель размером 514” x 514” x 1” 

далее


MTI EQ-PCE-8

  • Установка плазменной очистки или травления кристаллических подложек и удаления наноразмерных органических загрязнений
  • Назначение: проведение процессов очистки и удаления наноразмерных органических загрязнений на пластинах до 8” с использованием различных газов, в том числе перед процессами эпитаксии
  • Скорость удаления органических загрязнений – около 20 нм/мин при высоком уровне мощности RF-источника
  • Источники плазмы: RF-источник, 13,56 МГц,  режимы от 0 до 80 Вт (общая мощность источника 80Вт); опционно – 300 Вт

далее


MTI PCE-22

  • Настольная установка ультрафиолетовой озоновой очистки с системой нагрева подложке для очистки всех типов кристаллических подложек
  • Назначение: процессы очистки подложек (Si, GaAs, оксид индия и олова, кварцевое стекло и все оксиды кристаллических подложек , в т.ч. сапфир ), удаления и вскрытия фоторезиста, улучшения гидрофильности поверхностей, очистки образцов для сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, УФ-активации и полимеризация полимеров; очистка поверхности золота и платины; очистка при производстве светодиодных дисплеев; окисление поверхности металлических материалов
  • Бескислотная, сухая, неразрушающая атомная очистка и удаление органических загрязнений за счет УФ-излучения с длиной волн 185 нм и 254 нм
  • Размеры зоны с УФ ртутными лампами: 200 x 200 мм

далее


MTI VTC-16-D

  • Компактная плазменная настольная установка магнетронного напыления покрытий постоянным током с золотой мишенью для нанесения покрытий благородных металлов
  • Назначение: магнетронное напыление металлических покрытий (Au, Pt, Ag); напыление проводящих золотых слоев на образцах для сканирующей электронной микроскопии
  • Регулируемый по высоте подложкодержатель
  • Напряжение на источнике постоянного тока системы напыления – 500В; сила тока регулируется от 0 до 50 мА (цифровой миллиамперметр); время напыления регулируется от 1 до 120 с

далее


MTI VTC-16-3HD-LD (PVD)

  • Компактная установка магнетронного напыления постоянным током для нанесения покрытий металлов
  • Назначение: магнетронное напыление металлических покрытий (Au, Ag, Cu)
  • Напряжение на источнике постоянного тока системы напыления – 1600В; сила тока – до 40 мА
  • Процессная камера из сверхчистого кварца размерами: ø внутр.150 мм х 150мм, уплотняющий фланец из нержавеющей стали с плоским уплотнительным кольцом

далее


MTI VTC-16-SM (PVD)

  • Настольная установка магнетронного напыления постоянным током высокой мощности с водяным охлаждением 2“ оголовка мишени, водяным чилером и вращающимся держателем образцов
  • Назначение: магнетронное напыление металлических покрытий, включая Zn, Al, Ti и тонкие углеродные слои
  • Подложки: пластины диаметром до 4″
  • Подложкодержатель ø 4″ с регулируемой высотой от 60 до 100 мм между образцом и мишенью

далее


MTI VTC-2RF (PVD)

  • Компактная установка высокочастотного плазменного магнетронного напыления с 2“ оголовком распылителя для НИОКР
  • Назначение: магнетронное напыление неметаллических покрытий, преимущественно – оксидов
  • Подложки: пластины диаметром до 2″
  • Один вращающийся со скоростью от 1 до 10 об/мин 50-мм нагреваемый керамический держатель с оболочкой из нержавеющей стали

далее


MTI VTC-3RF (PVD)

  • Компактная установка высокочастотного плазменного магнетронного напыления с тремя 1“ оголовками распылителя для магнетронного напыления неметаллических покрытий, преимущественно – оксидов
  • Подложки: пластины диаметром до 2″. Ручная загрузка-выгрузка подложек
  • Один вращающийся со скоростью от 1 до 10 об/мин 50-мм нагреваемый керамический держатель с оболочкой из нержавеющей стали; угловой диапазон напыления: 0÷25°
  • Нагреватель держателя до температуры 600°С (не более 5 минут) или 500°С (не более 2 часов) с точностью поддержания температуры ±1°С

далее


MTI VTC-600-2HD-LD (PVD)

  • Компактная высоковакуумная установка плазменного магнетронного напыления с двумя 2“ оголовками (источниками/мишенями) DC/RF-плазмы для нанесения однослойных или многослойных пленок материалов, таких как различные сплавы, сегнетоэлектрики, полупроводники, керамика, диэлектрики, оптические покрытия, PTFE, и т.д.
  • Назначение – магнетронное напыление: металлических покрытий при использовании DC –источника; неметаллических покрытий при использовании RF-источника
  • Подложки: пластины диаметром до 4″. Ручная загрузка-выгрузка подложек
  • Один вращающийся со скоростью от 1 до 20 об/мин 140-мм нагреваемый керамический держатель с оболочкой из нержавеющей стали

далее


MTI VTC-600-3HD-LD (PVD)

  • Комбинированная высоковакуумная установка плазменного магнетронного напыления с тремя 3“ оголовками (источниками/мишенями) DC/RF-плазмы для нанесения однослойных или многослойных пленок материалов, таких как различные сплавы, сегнетоэлектрики, полупроводники, керамика, диэлектрики, оптические покрытия, PTFE…
  • Назначение – магнетронное напыление: металлических покрытий при использовании DC –источника; неметаллических покрытий при использовании RF-источника
  • Подложки: пластины диаметром до 4″. Ручная загрузка-выгрузка подложек
  • Один вращающийся со скоростью от 1 до 20 об/мин 140-мм нагреваемый керамический держатель с оболочкой из нержавеющей стали

далее


MTI GSL-1100X-PECVD

  • Компактная установка плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы
  • Процессная камера из кварцевой трубы размерами ø 3″ х 19″ и фланцами из нержавеющей стали, один из фланцев размещен на подвижных полозьях для удобства загрузки-разгрузки образцов; образец может быть помещен в нагреваемую обмотку
  • Обмоточный нагреватель размером ø 50 мм х 70 мм с защитной (для снижения тепловых потерь) кварцевой трубкой с внутр. ø 2″ х 75 мм обеспечивает нагрев образца до 400°C и крепится к подвижному фланцу
  • 30-ти позиционный цифровой температурный контроллер обеспечивает точность поддержания температуры ± 1°C

далее


MTI GSL-1100X-SPC12-LD (PVD)

  • Компактная установка плазменного напыления для нанесения покрытий металлов
  • Назначение: напыление металлических покрытий (Au, Pt, In, Ag); нанесение проводящих золотых пленок для сканирующей электронной микроскопии
  • Процессная камера из стекла размерами: ø внутр.100 мм х 130мм, уплотняющий фланец из нержавеющей стали. Ручная загрузка-выгрузка подложек
  • Подложкодержатель ø 40 мм с регулируемой высотой от 15 до 80 мм между образцом и мишенью. Время напыления: от 0 до 110 с

далее


MTI GSL-1700X-SPC-2

  • Компактная высоковакуумная установка нанесения металлических или органических пленочных покрытий методом термического испарения
  • Подложки диаметром до 2″. Ручная загрузка-выгрузка подложек
  • Система термического испарения для осаждения пленок с источником, обеспечивающим максимальный ток 40 А (рекомендуемый рабочий ток ) – <30 A
  • Вольфрамовый спиральный нагреватель с алюминиевым тиглем обеспечивают температуру до 1700ºC (стандартный диапазон – 200 ÷1500 ºC, опционно – 1200 ÷1700ºC)

далее


MTI GSL-1800X-SBC2-LD (PVD)

  • Многофункциональная напольная высоковакуумная установка плазменного нанесения покрытий для НИОКР с ручной загрузкой-выгрузкой подложек
  • Объединяет в одной установке процессы  термического испарения, плазменного магнетронного напыления, осаждения углеродных покрытий для нанесения пленок материалов, таких как металлы, полупроводники, диэлектрики и т.д.
  • Источники для осаждения пленок: AC-источник до 10 В, до 100 А для термического испарения – позволяет испарять два материала одновременно, вольфрамовый нагреватель обеспечивает температуру до 1800ºC; источник для осаждения углеродных пленок содержит два угольных стержня; DC-источник до 3 кВ, до 10 мА для плазменного магнетронного напыления

далее


MTI OTF-1200X-50S-PE-SL (PECVD)

  • Компактная установка плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы SiOx, SiNx, SiOxNy, a-Si:H и прочих материалов с автоматически перемещающимся нагревателем рабочей зоны
  • Процессная камера из сверхчистой кварцевой трубы размерами ø 2″ х 39,4″ и фланцами из нержавеющей стали
  • Нагреватель размещен на подвижных полозьях для возможности быстрого изменения температуры на образцах
  • Максимальная рабочая температура 1200°C – на время не более 60 мин, 1100°C – для более длительного нагрева

далее


MTI OTF-1200X-PEC4LV (PECVD)

  • Установка плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы SiOx, SiNx, SiOxNy, a-Si:H и прочих материалов
  • Процессная камера из сверхчистой кварцевой трубы размерами ø 2″ х 48″ (опционно – 3.14″ x 48”) и фланцами из нержавеющей стали
  • Нагреватель (208÷240В, 1ф, 4000Вт) обеспечивает максимальную рабочую температуру 1200°C – на время не более 60 мин, 1100°C – для более длительного нагрева (опционно – двухзонный нагреватель)
  • 30-ти позиционный цифровой температурный контроллер обеспечивает точность поддержания температуры ± 1°C в термостабилизированном участке 150 мм, общая длина зоны нагрева составляет 440 мм

далее


MTI OTF-1200X-II-50-PEMSL (PECVD)

  • Двухзонная установка плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы
  • Процессная камера из сверхчистой кварцевой трубы размерами ø 50мм х 2200мм (опционно – ø 80мм х 2200мм) и фланцами из нержавеющей стали
  • Система нагрева (208÷240В, 1ф, 4000Вт) обеспечивает максимальную рабочую температуру 1100°C для длительного нагрева
  • Два 30-ти позиционных прецизионных цифровых температурных контроллера

далее


MTI OTF-1200X-II-PEC4 (PECVD)

  • Поворачиваемая двухзонная установка плазмоактивированного гибридного физикохимического осаждения неорганических соединений из газовой фазы
  • Процессная камера из сверхчистой кварцевой трубы ø 4″ в рабочей части и фланцами из нержавеющей стали ø 1″ для присоединения вакуумного насоса, соединением для подключения газа или смеси газов
  • Вращение трубы реактора механическим приводом (2÷10 об/мин) позволяет проводить комбинирование различных типов осаждения для достижения лучшей однородности
  • Встроенный источник испарения (из лодочки с вольфрамовой спиралью позволяет испарять твердые реагенты для обеспечения гибридных процессов осаждения. Максимальная рабочая температура испарения 1300°C – на время не более 60 мин, 1200°C – для более длительного нагрева

далее

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.