• Кластерная установка для создания в условиях вакуума тонкопленочных покрытий для НИОКР и пилотного производства.
• Назначение: нанесение многослойных пленок для МЭМС и датчиков, функциональных покрытий для микро- и оптоэлектроники, силовых приборов
• Реализуемые процессы: реактивное и инертное магнетронное распыление (режим постоянного тока); предварительная обработка (например, плазменное травление); соосаждение на вращающийся держатель подложки
• Состав: загрузочный шлюз, транспортировочная камера, процессная камера

далее

• Кластерная установка для создания в условиях вакуума тонкопленочных покрытий для НИОКР и пилотного производства.
• Назначение: нанесение многослойных пленок для МЭМС и датчиков, функциональных покрытий для микро- и оптоэлектроники, силовых приборов
• Состав: загрузочный шлюз, транспортировочная камера, 2 процессные камеры (для высоко- и низкотемпературных процессов)
• Подложки: до ø200 мм и толщиной (0,8÷5,0) мм

далее

• Универсальная кластерная установка для создания в условиях вакуума толстых и тонких пленочных покрытий для НИОКР и серийного производства.
• Назначение: нанесение многослойных оптических пленок, функциональных покрытий для МЭМС и датчиков
• Реализуемые процессы: реактивное и инертное магнетронное распыление (ВЧ-режим); предварительная обработка (например, плазменное травление)
• Состав: загрузочный шлюз, транспортировочная камера с вакуумным манипулятором, процессная камера

далее

• Многоцелевая кластерная установка для создания в условиях вакуума тонкопленочных функциональных покрытий (проводящих, изолирующих, барьерных, адгезионных, оптических) на пластинах (подложках) в полупроводниковой промышленности, производстве МЭМС, солнечных элементов и датчиков, микроэлектронике, оптоэлектронике, оптике для промышленного производства
• Назначение: нанесение высококачественных оптических пленок, функциональных покрытий для МЭМС, датчиков, силовых приборов на карбиде кремния
• Камеры кассетной загрузки-разгрузки: 2
• Транспортировочная камера свосемью портами и вакуумным манипулятором-перегрузчиком

далее

• Установка атомно-слоевого осаждения для НИОКР и пилотного производства  
• Назначение:  для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiN_x и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
• Пластины: до ø100 мм
• Нагрев подложки: до 600°C

далее

• Установка плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения для НИОКР и пилотного производства 
• Назначение: для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiN_x и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
• Подложки: пластины ø150 мм; объемные подложки: 20 мм, до 100 слоев
• Загрузка по1 подложке в боксе с ламинарным потоком

далее

• Двухреакторная установка атомно-слоевого осаждения для НИОКР
• Назначение: для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiN_x и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
• Подложки: пластины ø150, 200, 300 мм
• Ручная загрузка по одной пластине, зона загрузки – в чистой комнате

далее

• Двухреакторная установка атомно-слоевого осаждения для промышленного производства
• Применяется для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiN_x и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
• Подложки ø300 мм
• Система автоматической загрузки с азотным охлаждением и с 2 портами для стандартных кассет на 25 пластин

далее

• Однокамерная установка магнетронного напыления металлов на различные поверхности
• Объем загрузки: до 24 подложек размером 60×48 мм
• Ручная загрузка-выгрузка подложек через дверь в фронтальной части установки
• Рабочая камера из нержавеющей стали диаметром 800 мм

далее

• Однокамерная установка магнетронного напыления для мелкосерийного производства
• Назначение: нанесение оптических пленок на осветительные приборы, функциональных покрытий для МЭМС и датчиков, декоративных покрытий, многослойных покрытий
• Реализуемые процессы: магнетронное напыление (постоянным током или ВЧ-режим); предварительная обработка (например, плазменное травление)
• Подложки:  пластины до ø150 мм или подложки до 156 x 156 мм

далее

• Лабораторная установка термического напыления
• Назначение: термическое напыление Cu, Ga, In, Se и прочих материалов
• Подложкодержатель с фиксаторами для подложек до ø150 мм
• Ручная загрузка-выгрузка подложек

далее

• Лабораторная установка магнетронного напыления с двумя источниками
• Назначение: динамический процесс напыления при комнатной температуре проводящих материалов – Cr, Cu, Au, Ag и прочих металлов с использованием DC-источника; напыление непроводящих материалов –Al₂O₃, SiO₂ при опционном использовании RF-источника
• Процессная камера из алюминия
• Вращающийся подложкодержатель для подложек размером до ø200 мм

далее

• Лабораторная установка ионно-лучевого и реактивно-ионного травления
• Назначение: травление Cu, Si, Ga и прочих материалов
• Возможность вращения и наклона подложкодержателя с подложками ø4”
• Ручная загрузка-выгрузка подложек

далее

• Установка термического и плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения Al₂O₃, TiO₂ и прочих соединений
• Подложкодержатель с фиксаторами для подложек до ø200 мм
• Ручная загрузка-выгрузка подложек
• Температура процесса: до 400°C

далее

• Лабораторная установка магнетронного напыления тонких пленок в вакууме для НИОКР и обучения
• Подложки: до ø200 мм толщиной до 30мм (более 30 мм  — с использованием проставочных колец)
• Ручная загрузка-выгрузка подложек
• Модификации установки:

— DC модель: осаждение электропроводящих слоев (Al, нержавеющая сталь, Cr, Cu, Au, Ag и прочих);

— HF модель: осаждение электропроводящих или неэлектропроводящих слоев (A_l2O₃, SiO₂, Zr_xO_y, Si₃N₄ и прочих)

далее