Advanced Vacuum System

Advanced Vacuum VISION 310 PECVD

  • Базовая установка плазмостимулированного газофазное осаждения для полупровод-никового производства и материаловедения в НИОКР и мелкосерийном производстве
  • Загрузка: 21х2”, 9х3”, 5х4”, 1х6”, 1х8”, 1х12”
  • Богатый набор программ процессов осаждения, включая SiNx, SiO2, a-Si, SiOxNy и SiC
  • Оптимизированный распылитель для обеспечения высокой однородности осаждения с регулировкой для работы с нестандартными подложками, 305-мм подложкодержатель, высокотемпературный электрод (до 380°C), открытая загрузка для удобного доступа, цифровые регуляторы массового расхода, 5 газовых каналов стандартно

далее


Advanced Vacuum VISION 410 PECVD

  • Установка плазмостимулированного газофазное осаждения пленок с ручной загрузкой для НИОКР, полупроводникового производства и научных исследований в материаловедении для однопластинной или групповой обработки
  • Загрузка: 37х2”, 19х3”, 9х4”, 4х6”, ø16” – для образцов пользователя
  • Осаждаемые слои: SiO2, SiNx, SiC, a-Si, SiOxNy
  • Оптимизированный распылитель для обеспечения высокой однородности осаждения,  406-мм подложкодержатель, высокотемпературный электрод (80÷350°C),  небольшая занимаемая площадь (<1,0 м2),  до 8 газовых линий (6 каналов стандартно)

далее


Advanced Vacuum VISION 320 RIE

  • Установка реактивно-ионного травления для НИОКР, прототипирования и мелкосерийного производства
  • Загрузка: 21х2”, 9х3”, 5х4”, 1х6”, 1х8”, 1х12”
  • Библиотека стандартных технологических процессов травления: диэлектриков (в т.ч. SiNx, SiO2, a-Si, SiOxNy, SiC, Ta2O5), металлов (Al, Au, Cr, Ni, Ti и пр.), полимеров (в т.ч. полиимид, фоторезист), полупроводниковых материалов и соединений (Si, Ge, SiC, InP, GaAs, GaN, InGaAs и пр.)
  • Подготовка поверхности (в т.ч. изменение кислородом свойств поверхности структурированного сапфира)

далее


Advanced Vacuum VISION 420 RIE

  • Установка реактивно-ионного бесщелочного (в основном соединениями фтора) травления широкого спектра материалов и подложек для НИОКР, прототипирования, пилотных линий  и мелкосерийного производства
  • Загрузка: 37х2”, 19х3”, 9х4”, 4х6”, ø16” – для образцов пользователя
  • Библиотека стандартных технологических процессов травления: диэлектриков (в т.ч. SiNx, SiO2, a-Si, SiOxNy, SiC, Ta2O5), полимеров (в т.ч. полиимид, фоторезист), подготовка поверхности ( изменение кислородом свойств поверхности структурированного сапфира), текстурирование поверхности твердотельных излучателей и солнечных элементов
  • 406-мм подложкодержатель, открытая загрузка для удобного доступа при индивидуальной и групповой обработке, цифровые регуляторы массового расхода газа – до 8 газовых каналов (4 – стандартно)

далее


Advanced Vacuum VISION 322 PE/RIE

  • Установка плазмохимического/реактивно-ионного травления для НИОКР, прототипирования и мелкосерийного производства, для фундаментальных исследований материалов и преобразования поверхности
  • Загрузка: 21х2”, 9х3”, 5х4”, 1х6”, 1х8”, 1х12”
  • Библиотека стандартных технологических процессов травления: диэлектриков (травление фтористыми соединениями SiNx, SiO2, a-Si, SiOxNy, SiC, Ta2O5), металлов (травление фтористыми соединениями), полимеров (в т.ч. полиимид, бензоциклобутен, фоторезист), полупроводниковых материалов и соединений (SiC, InP и пр.)
  • Подготовка поверхности (в т.ч. изменеие кислородом свойств поверхности структурированного сапфира)

далее


Advanced Vacuum Apex SLR (ICP)

  • Установка травления индуктивно-связанной плазмой для НИОКР, прототипирования и мелкосерийного производства, для преобразования поверхности
  • Подложки размером до 8”
  • Библиотека стандартных технологических процессов травления: диэлектриков (SiNx, SiO2, a-Si, SiOxNy, SiC, Ta2O5), полимеров (в т.ч. полиимид, бензоциклобутен, фоторезист), подготовка поверхности ( изменеие кислородом свойств поверхности структурированного сапфира), текстурирование поверхности твердотельных излучателей и солнечных элементов
  • 254-мм подложкодержатель (электрод), 320-мм ICP источник, шлюзовая загрузка, цифровые регуляторы массового расхода,  до 20 газовых каналов (4 – стандартно)

далее

Scroll Up

ООО «СКТО ПРОМПРОЕКТ» обязуется не распространять и не передавать персональные данные третьим лицам.