INTREPID XP CVD

• Высокопроизводительная установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
• Платформа XP пониженного давления
• Размер обрабатываемых пластин: 12”
• Доступными процессами являются соединения на основе кремния, такие как кремний (Si), кремний-германий (SiGe), карбид кремния (SiC) и другие соединения на основе кремния.
• Напряженные эпитаксиальные плёнки для планарных и FinFET приборов. МОП транзисторные канальные слои, использующие эпитаксиальный кремний, кремний германий и чистый германий. Германиевые слои для оптоэлектронных устройств.
• Четырёхкамерный эпитаксиальный реактор
• Реактор использует встроенные лампы для нагрева пластины до заданной температуры, чтобы вырастить эпитаксиальную пленку на основе кремния с использованием химического осаждения из паро-газовой фазы (CVD).
• Цельная, малообъемная конструкция камеры
• Изотермическая реакторная среда, в которой обрабатывается пластина, которая обеспечивает последовательный и повторяемый контроль температуры по всей пластине и от пластины к пластине
• Высокие скорости осаждения и управление процессом при низких температурах
• До четырех модулей Intrepid process можно настроить вместе на общей платформе кластера XP ASM для повышения производительности
• Технология предварительной очистки с помощью встроенного АСМ Previum модуля для Эпи подготовки поверхности
• Модуль управления газом
• Газы и возможные легирующие смеси: N2, H2, SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH4, HCl, PH3, AsH3, B2H6,…
• Скруббер
• Водяная система охлаждения
• Силовой модуль: 380 В, 3 фазы, 50Гц
• Распределительная сеть: 220 В, 1 фаза, 50Гц

к списку