• Многоцелевая кластерная установка для создания в условиях вакуума тонкопленочных функциональных покрытий (проводящих, изолирующих, барьерных, адгезионных, оптических) на пластинах (подложках) в полупроводниковой промышленности, производстве МЭМС, солнечных элементов и датчиков, микроэлектронике, оптоэлектронике, оптике (НИОКР или мелкосерийное производство)
• Может содержать до 6 модулей, связанных между собой вакуумным перегрузчиком: загрузки-разгрузки (2), плазмостимулированного (PE) или реактивно-ионного (RIE) травления, магнетронного напыления (DC или RF способ), термического или электронно-лучевого испарения, плазмоактивированного химического осаждения из газовой фазы (PECVD), атомно-слоевого осаждения (ALD), быстрого лампового отжига (FLA), быстрых термических процессов (RTP) – конфигурация по заданию заказчика
• Размер подложек: диаметром от 50 до 200 мм, толщиной до 15мм
• Температурный контроль подложки и держателя

далее

• Модуль ультракороткого импульсного отжига в условиях вакуума или в среде рабочего газа
• Применение: отжиг и плавление материалов в миллисекундном диапазоне
• Подложкодержатель для подложек диаметром до 100 мм (опционно – 250 мм)
• Количество импульсных ламп: 8 шт.

далее

• Лабораторная установка реактивно-ионного травления
• Назначение: травление подложек / слоев Si, a-Si, SiN_x, SiO_x, фоторезиста и прочих для предочистки и формирования изображения
• Подложкодержатель с фиксаторами для подложек диаметром до 100 мм
• Ручная загрузка-выгрузка подложек

далее

• Лабораторная установка термического напыления
• Назначение: термическое напыление меди (Cu), галлия (Ga), индия (In), селена (Se) и прочих материалов
• Подложкодержатель с фиксаторами для подложек диаметром до 150 мм
• Ручная загрузка-выгрузка подложек

далее

• Лабораторная установка магнетронного напыления с двойным источником
• Назначение: динамический процесс напыления при комнатной температуре проводящих материалов – хрома (Cr), меди (Cu), золота (Au), серебра (Ag) и прочих металлов с использованием DC-источника; напыление непроводящих материалов – оксида алюминия (Al₂O₃), диоксида кремния (SiO₂) при опционном использовании RF-источника
• Процессная камера из алюминия
• Вращающийся подложкодержатель для подложек размером до диаметра 200 мм

далее

• Лабораторная установка плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы
• Назначение: осаждение слоев a-Si, SiN_x, SiO_x, SiO_xN_y, алмазоподобных углеродных покрытий и прочих
• Подложкодержатель с фиксаторами для подложек диаметром до 100 мм
• Ручная загрузка-выгрузка подложек

далее

• Лабораторная установка ультракороткого импульсного отжига в условиях вакуума или в среде рабочего газа для полупроводникового производства, оптики, МЭМС
• Применение: восстановление поверхности, отжиг пластиков (низкотемпературных материалов), сушка фотолаков и пленочных покрытий, уплотнение пленочных покрытий, изменение параметров пленок
• Подложкодержатель с фиксаторами для подложек диаметром до 100 мм (опционно – 250 мм)
• Количество импульсных ламп: 8 шт.

далее

• Лабораторная установка ионно-лучевого и реактивно-ионного травления
• Назначение: травление меди (Cu), кремния ( Si), галлия (Ga) и прочих материалов
• Возможность вращения и наклона подложкодержателя с подложками диаметром 4”
• Ручная загрузка-выгрузка подложек

далее

• Установка термического и плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения Al₂O₃, TiO₂ и прочих соединений
• Подложкодержатель с фиксаторами для подложек диаметром до 200 мм
• Ручная загрузка-выгрузка подложек
• Температура процесса: до 400°C

далее

• Лабораторная установка магнетронного напыления тонких пленок в вакууме для НИОКР и обучения
• Размер подложек: диаметром до 200 мм, толщиной до 30мм (более 30 мм  с использованием проставочных колец)
• Ручная загрузка-выгрузка подложек
• Модификации установки:

— DC модель: осаждение электропроводящих слоев (Al, нержавеющая сталь, Cr, Cu, Au, Ag и прочих);

— HF модель: осаждение электропроводящих или неэлектропроводящих слоев (A_l2O₃, SiO₂, Zr_xO_y, Si₃N₄ и прочих)

далее

• Лабораторная установка плазменной предочистки
• Назначение: проведение процессов предочистки кислородной плазмой
• Подложкодержатель с фиксаторами для подложек размером 300 x 300 мм
• Ручная загрузка-выгрузка подложек

далее

• Установка предназначена для нанесения металлов на различные поверхности
• Объем загрузки: до 24 подложек размером 60×48 мм
• Ручная загрузка-выгрузка подложек через дверь в фронтальной части установки
• Рабочая камера из нержавеющей стали диаметром 800 мм

далее

• Однокамерная установка магнетронного напыления на различные подложки с предподготовкой поверхности (плазменное травление) для мелкосерийного производства датчиков, МЭМС, оптических изделий
• Максимальный размер подложки:  диаметром 150 мм или 156 x 156 мм
• Объем групповой загрузки: до 24 пластин размером 4″, до 12 подложек размером 6″
• Ручная загрузка-выгрузка подложек через дверь в фронтальной части установки на вращающийся барабан (опционно – через загрузочный шлюз)

далее

• Установка атомно-слоевого осаждения со специальными газовыми линиями
• Применяется для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiN_x и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
• Пластины: до Ø100 мм
• Нагрев подложки: до 600°C

далее

• Установка атомно-слоевого осаждения
• Применяется для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiN_x и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
• Подложки Ø150 мм, объемные образцы 20 мм (до 100 слоев)
• Ненагреваемая камера загрузки-разгрузки из алюминия, загрузка по1 подложке в боксе с ламинарным потоком

далее

• НИОКР двухреакторная установка атомно-слоевого осаждения
• Применяется для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiN_x и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
• Подложки Ø150, 200, 300 мм
• Ручная загрузка по одной пластине, чистая комната внутри установки

далее

• Промышленная двухреакторная установка атомно-слоевого осаждения
• Применяется для осаждения тонкопленочных оксидов (HfO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SiO₂ и прочих), нитридов (TiN, TaN, SiN_x и прочих), металлов (W, Ta, Cu, Ru и прочих)
• Подложки Ø300 мм
• Фабричная загрузка с 2 портами для стандартных кассет на 25 пластин

далее

• Модуль ультракороткого импульсного отжига в условиях вакуума или в среде рабочего газа для кластерной установки
• Размер подложек: пластины диаметром до 120 мм, с использованием адаптера: 4”, 3”, 2”, а также подложки прямоугольной или иной формы
• Подложкодержатель: хромоникелевая кассета с кварцевыми фиксаторами
• Роботизированное устройство перемещения пластин

далее

• Составная лабораторная установка импульсного отжига в условиях вакуума и среде рабочего газа
• Размер подложек: пластины диаметром 4”, с использованием адаптера – 3”, 2”, а также подложки прямоугольной или иной формы
• Подложкодержатель: хромоникелевая кассета с кварцевыми фиксаторами
• Герметизированное витоном устройство перемещения пластин

далее

• Установка импульсного отжига в условиях вакуума и среде рабочего газа с максимальной температурой процесса до 2000°C
• Размер подложек: пластины диаметром 4”, с использованием адаптера – 3”, 2”, а также подложки прямоугольной (20 х 30 мм, толщиной до 1 мм) или иной формы
• Подложкодержатель: кварцевая шайба с кварцевыми фиксаторами
• Горизонтальное перемещение подложкодержателя с использованием носителя с магнитным приводом

далее

• Установка импульсного отжига в среде рабочего газа с максимальной температурой процесса до 1500°C
• Размер подложек: пластины диаметром 8”, с использованием адаптера: 4”, 3”, 2”, а также подложки прямоугольной или иной формы
• Подложкодержатель: алюминиевая шайба с кварцевыми фиксаторами
• Роботизированное устройство перемещения пластин

далее