• Установка травления материалов в индуктивно-связанной плазме от НИОКР до крупносерийного производства.
• Подложки размером: 8х2”, 4х3”, одиночные от 3” до 8”
• Варианты загрузки: загрузка через шлюз (одиночные пластины или партия); кассетная загрузка пластин или образцов
• Библиотека стандартных технологических процессов травления: GaN, GaAs, AlGaP, InP, InGaAs, HgCdTe; SiC, Al₂O₃; Si, SiO₂, SiN_x; Cr, Ti, Al, TiN, TiW, Mo;

далее

• Установка глубокого травления кремния от НИОКР до серийного производства  МЭМС, динамических ОЗУ
• Подложки размером до 8”
• Варианты загрузки: загрузка через шлюз; кассетная загрузка пластин или образцов
• Библиотека стандартных технологических процессов травления: Si, SiO₂, Si₃N₄, SiO_xN_y; полиметилметакрилат, фоторезист, полиимид

далее

• Установка плазмостимулированного осаждения из газовой фазы для крупносерийного производства
• Подложки размером до 8”
• Варианты загрузки: прямая ручная загрузка; загрузка через шлюз (одиночные пластины или образцы); кассетная загрузка пластин или образцов
• Библиотека стандартных технологических процессов осаждения: диэлектриков (SiO₂, SiN_x, SiO_xN_y); полупроводников (SiC, a-Si)

далее

• Установка низкотемпературного плазмохимического осаждения из газовой фазы от НИОКР до серийного производства с применением высокоплотной плазмы
• Подложки размером от 3” до 8”
• Варианты загрузки: загрузка через шлюз (одиночные подложки); кассетная загрузка пластин
• Библиотека стандартных технологических процессов осаждения: диэлектриков (SiO₂, SiN_x, SiO_xN_y); полупроводников (SiC, a-Si)

далее

• Установки плазменного разделения пластин на кристаллы для крупносерийного производства, обладающие серьезными преимуществами по сравнению со стандартной технологией скрайбирования для тонких и сверхтонких пластин: гладкие боковые стенки кристаллов, отсутствие боковых повреждений, повышение прочности кристаллов, ширина реза 10 мкм и менее, возможность разделения пластин толщиной менее 50 мкм, разделение непрямоугольных кристаллов (со скругленными углами, клиновидной формы и т.д.)
• Использование стандартных в скрайбировании несущей ленты с пластиковыми или металлическими каркасами
• Загрузка двух кассет, до 25 каркасов с пластинами в каждой
• Непрерывный процесс для 4”, 6”, 8” пластин на 8” каркасе (MDS-100) и 12″ пластин на 12″ каркасе (MDS-300)

далее

• Установки ионнолучевого травления и осаждения представляют из себя однокамерные модули с реакторами ионнолучевого травления или осаждения, объединяющие в одном кластере от одного до трех модулей травления, осаждения или комбинации модулей травления и осаждения
• Высокая производительность за счет ионных источников большой площади и усовершенствованной системы перемещения
• Квалифицированы для применения в 200-мм производстве. Предназначена для обработки 200-мм пластин, 150-мм пластин и 9,5” ячеек, может модифицироваться для обработки 300-мм пластин

далее

• Установка плазмостимулированного осаждения из газовой фазы на большие поверхности для крупносерийного производства
• Подложки: максимальная загрузка при групповой обработке – 3 пластины по 8”
• Варианты загрузки: кассетная загрузка пластин
• Возможность групповой обработки большого количества пластин, применение парных кассет (работа из кассеты в кассету)

далее

• Кластерная установка с загрузкой «из кассеты в кассету» выпускалась в следующих конфигурациях: ICP, RIE, DSE™, PECVD и HDPCVD

700 VLR (Versalock ) PECVD

• Установка плазмостимулированного осаждения из газовой фазы
• Подложки размером 4” (возможность использования для 8”)
• Содержит модули LM/TM и PECVD

далее

• Установка для травления в среде XeF₂ и HF оксидов и кремния при изготовлении МЭМС для НИОКР
• Применяется для изготовления датчиков, ВЧ МЭМС, микроболометров, температурных датчиков, микроакселерометров, ВЧ-переключателей
• Применение XeF₂ эффективно для травления различных материалов, включая SiO₂ и Si₃N₄, HF наиболее эффективен при травлении Si₃N₄
• Подложки размером до 200 мм

далее

• Установка для автоматизированного травления в среде XeF₂ и HF оксидов и кремния при изготовлении МЭМС для мелкосерийного производства
• Применяется для изготовления датчиков, ВЧ МЭМС, микроболометров, температурных датчиков, микроакселерометров, ВЧ-переключателей
• Применение XeF₂ эффективно для травления различных материалов, включая SiO₂ и Si₃N₄, HF наиболее эффективен при травлении Si₃N₄
• Пластины размером 100, 125, 150, 200 мм, а также различные типы других подложек и образцов

далее

• Полностью автоматизированная кластерная установка для изготовления МЭМС в крупносерийном производстве
• Содержит до трех процессных модулей, поддерживающих технологии травления XERIX и нанесения покрытий AURIX
• Применяется для изготовления датчиков, ВЧ МЭМС, микроболометров, температурных датчиков, микроакселерометров, ВЧ-переключателей
• Применение XeF₂ эффективно для травления различных материалов, включая SiO₂ и Si₃N₄, HF наиболее эффективен при травлении Si₃N₄

далее

• Установка для производства фотошаблонов высокого разрешения с применением технологии индуктивно-связанной плазмы.
• В зависимости от модификации установки позволяет получать элементы с топологическим размером менее: 1 – 250нм, 2 – 180нм, 3 – (130÷90)нм, 4 – (65÷45)нм, 5 – (32÷ 22)нм
• Варианты загрузки: автоматизированная загрузочная станция; загрузка пластин из SMIF-контейнера через буферную зону
• Имеется возможность применять Cr, MoSi, кварц, ультрафиолетовое облучение, импринтные технологии

далее

• Установка обработки пластин в индуктивно-связанной плазме с технологией HDRF от НИОКР до крупносерийного производства
• Технология HDRF (High Density Radical Flux) полностью исключает ионную составляющую процесса травления, что позволяет избежать внесение электрического заряда в полупроводниковую структуру.
• Модификации: от лабораторной однокамерной установки с ручной загрузкой до промышленных установок с двумя загрузочными шлюзами и двумя процессными камерами. Однокамерная установка может быть модернизирована в двухкамерную. Двухкамерная установка может быть сконфигурирована для односторонней или двусторонней обработки пластин
• Подложки размером до 8”

далее

• Установка с технологией HDRF плазменного удаления фоторезиста, очистки поверхности пластин от органических загрязнений и удаления промежуточного полимерного слоя при изготовлении МЭМС и для применения в микроэлектронном производстве
• Технология HDRF (High Density Radical Flux) полностью исключает ионную составляющую процесса травления, что позволяет избежать внесение электрического заряда в полупроводниковую структуру.
• Предназначена для групповой обработки пластин, но может быть использована и для обработки одиночных пластин
• Ручная загрузка пластин

далее

• Установка с технологией HDRF плазменного удаления фоторезиста, очистки поверхности пластин от органических загрязнений и удаления промежуточного полимерного слоя при изготовлении МЭМС и для применения в микроэлектронном производстве
• Технология HDRF (High Density Radical Flux) полностью исключает ионную составляющую процесса травления, что позволяет избежать внесение электрического заряда в полупроводниковую структуру.
• Предназначена для групповой обработки пластин, но может быть использована и для обработки одиночных пластин
• Ручная загрузка пластин

далее