• Установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
• Двухкамерный эпитаксиальный реактор
• Единая система управления для управления параллельной работой реакторов.
• Размер обрабатываемых пластин: 4″, 5″, 6″

далее

• Установки для получения эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро-газовой фазы
• Технологии: с атмосферным или пониженным давлением в реакторах
• Тонкие пленки: логика CMOS, низковольтные полевые транзисторы
• Средние пленки: средневольтные полевые транзисторы, аналоговые изделия

далее