• НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений
• Применение: материалы на основе GaAs и InP, соединения А2В6, сверхпроводники
• Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
• Загрузка: 1×2″

  далее

• НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений А3В5
• Применение: материалы на основе GaAs и InP
• Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
• Загрузка: 1×2″, 1×3″, 1×4″, 3×2″

далее

• НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии
• Применение: материалы на основе As/P
• Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
• Загрузка: 3×2″

далее

• НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений А3В5
• Применение: материалы на основе GaN
• Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
• Загрузка: 1×2″

далее

• ИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений А3В5
• Применение: материалы на основе GaN
• Горизонтальный реактор из кварца или нержавеющей стали
• Загрузка: 1×2″

далее

• НИОКР установка мос-гидридной эпитаксии для роста полупроводниковых соединений А3В5
• Применение: GaN, AlGaN, GaInN
• Планетарный реактор
• Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее

• Установка мос-гидридной эпитаксии
• Применение: Материалы на основе SiC
• Планетарный реактор
• Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее

• Установка мос-гидридной эпитаксии
• Применение: Материалы на основе SiC
• Планетарный реактор
• Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее

• Установка мос-гидридной эпитаксии
• Планетарный реактор
• Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее

• Установка мос-гидридной эпитаксии
• Планетарный реактор
• Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее

• Установка мос-гидридной эпитаксии
• Высокотемпературный планетарный реактор третьего поколения от компании AIXTRON
• Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее

• Установка мос-гидридной эпитаксии
• Высокотемпературный планетарный реактор четвертого поколения от компании AIXTRON
• Все детали реактора, контактирующие с парогазовой смесью, легко заменяются – облегчает процесс их очистки от продуктов реакции и позволяет быстро переходить с одного типа выращиваемых материалов на другой

далее

• Установка мос-гидридной эпитаксии
• Высокотемпературный планетарный реактор пятого поколения от компании AIXTRON

далее

• Новая система мос-гидридной эпитаксии для производства светодиодов
• Материалы на основе GaN
• Система параметров оптимизированных для массового производства
• Система оснащена многочисленными техническими новшествами повышающими конкурентоспособность

далее