ИФП им. А.В.Ржанова

Обь-М

  • Автоматизированная многомодульная (многокамерная) сверхвысоковакуумная (СВВ) установка молекулярно-лучевой эпитаксии для серийного производства
  • Назначение: для выращивания наногетероэпитаксиальных структур твердых растворов теллуридов кадмия и ртути (КРТ), фоточувствительных, светоизлучающих материалов инфракрасного диапазона спектра и квантово-размерных структур на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из кремния и арсенида галлия
  • Подложки: пластины до ø100 мм
  • Технологические камеры
  • Манипулятор с нагревателями
  • Невращающийся подложкодержатель
  • Источники молекулярных потоков основных и легирующих компонентов, в т.ч. кольцевые источники Cd, Te и Hg
  • Давление остаточных газов: ∼10−9 Па
  • Средства контроля: дифракция быстрых электронов на отражение (ДБЭО), спектральная эллипсометрия (СЭ), одноволновая эллипсометрия (ОЭ)
  • Контроль подготовки поверхности и выращивания слоёв ГЭС КРТ эллипсометрическим методом: in situ мониторинг температуры подложки, состава и состояния поверхности
  • Безмасляная вакуумная система.

Катунь-100

  • Сверхвысоковакуумная установка для синтеза многослойных полупроводниковых наногетероструктур из молекулярных пучков для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для выращивания эпитаксиальных полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs, Ge, Si и др.; для проведения экспериментальных исследований и промышленно-ориентированных разработок в области физики конденсированного состояния и синтеза полупроводниковых и металлических наноструктур, обучения специалистов в области нанотехнологий, производства многослойных эпитаксиальных структур для элементной базы микро- нано- и оптоэлектроники (СВЧ-приборы, фотоприемные устройства, навигационное оборудование, лазерные системы, телекоммуникации, спутниковое телевидение и т.д.)
  • Подложки: пластины ø40 мм, ø60 мм, ø102 мм
  • Максимальная загрузка модуля загрузки: ø40 мм – 40 шт., ø60 мм – 20 шт., ø102 мм – 20 шт.
  • Состав установки: камеры загрузки-выгрузки пластин-подложек с кассетной загрузкой (2 кассеты по 7 (10) пластин ø102 мм); камеры эпитаксиального роста элементарных полупроводников (Si,Ge), металлических, диэлектрических слоев с электронно-лучевыми испарителями, газовыми и плазменными источниками; камеры для выращивания полупроводниковых соединений типа А3В5, A3N и А2В6 содержат до 12-ти молекулярных источников с независимыми заслонками, в т.ч. вентильного типа  для сурьмы, фосфора, мышьяка и т.д. и до двух электроннолучевых испарителей
  • Защитные тепловые экраны (водяные, криогенные) для источников МЛЭ и электронно-лучевых испарителей
  • Максимальный объем загрузки тигельных источников: 140 см3.
  • Максимальный объем загрузки электронно-лучевых источников: 125 см3
  • Максимальная температура прогрева подложек: 1400 °К
  • Точность поддержания температуры нагревателей подложек: 0,5 °К
  • Максимальная температура нагрева тиглей молекулярных источников: 1500 °К
  • Точность поддержания температуры нагревателей молекулярных источников: 0,5 °К
  • Температура прогрева корпуса: до 473°К
  • Возможна комбинация рабочих камер в любом порядке
  • Транспорт подложек между рабочими камерами: автоматизированный
  • Скорости роста пленочных структур: от долей атомного слоя до микронов в час
  • Средства контроля: собственного изготовления дифрактометры быстрых электронов и автоматические быстродействующие лазерные эллипсометры (устройствами для неразрушающего контроля структуры и свойств получаемых наногетероструктур в процессе их синтеза)
  • Количество выращиваемых структур с пленкой толщиной 1 мкм за день (18 часов) на подложках ø102 мм: восемнадцать
  • Система управления: компьютерная, с пакетом программ для проведения технологических процессов
  • Предельный вакуум в технологических модулях: 1,3×10–8 (1×10–10) Па (Торр)
  • Предельный вакуум в модуле загрузки-выгрузки: 1,3×10–6 (1×10–8) Па (Торр)
  • Вакуумная система: блок откачки, выполненный в виде горизонтальной вакуумной камеры, снабженной насосом НМД-04, криопанелью с титановым сублиматором и вакуумным откачным постом
  • Расход жидкого азота в процессе выращивания эпитаксиальных структур: 100 л/сутки
  • Расход технической воды: 3 л/мин
  • Максимальная электрическая мощность установки: 10 кВт
  • Необходимая площадь размещения: 30 м2
  • Масса установки: 1000 кг
  • Опционно: тигли из пиролитического нитрида бора различных размеров, обработанные по оригинальной методике в соответствии с требованиями эпитаксиальной технологии; тигельные, вентильные и электронно-лучевые источники молекулярных пучков; электронные дифрактометры (ускоряющее напряжение до 30 кВ) с системой для регистрации дифракционных картин и анализа их интенсивности с программным обеспечением; автоматизированные эллипсометры для регистрации оптических, морфологических, магнитных параметров и толщины тонкопленочных структур в процессе их получения и после; оптические пирометры; блоки питания и управления технологическими процессами с программным обеспечением; турбомолекулярный насос в блоке откачки для проведения технологических процессов с напуском или выделением газов.