ФТИ им. А.Ф. Иоффе

Dragon-125

  • Установка МОС-гидридной эпитаксии для выращивания гетероструктур для опытного и мелкосерийного производства
  • Назначение: для выращивания гетероструктур (светодиодов и полевых транзисторов) на основе системы материалов AlInGaN; для разработки новых перспективных технологий эпитаксиального осаждения слоев графена на III-N гетероструктурах и получения изолирующих слоев Al(GaN), легированных углеродом и железом
  • Подложки: пластины до ø100 мм
  • Тип загрузки пластин: ручная
  • Реактор: горизонтальный, из нержавеющей стали, с водяным охлаждением, с индуктивным нагревом до 1200°С
  • Перчаточный загрузочный бокс
  • Максимальная загрузка: ø2’’ – 3 шт., ø3’’ – 1шт., ø100 мм – 1шт.
  • Вращающийся графитовый подложкодержатель
  • Температура роста: до 1250 °С
  • Многозонный пирометрический контроль температуры роста
  • Давление в реакторе: (70÷1600) мбар
  • Специальный инжектор для настройки эпитаксиального процесса и подавления паразитных реакций
  • Диаметр зоны осаждения: 125 мм
  • Трехлучевая система in-situ измерения отражения и кривизны подложки: разрешение по кривизне – (2÷3) км-1; шумы сигнала отражения – 0,02%; точное позиционирование -разрешение (<1 мм)
  • Газовые линии для МО-соединений: 8 основных + 2 запасных
  • Система управления установкой для автоматического выращивания гетероструктуры любой сложности без ограничения по продолжительности процесса роста с регистрацией параметров роста в реальном времени
  • Занимаемая площадь: 3×1 м2