Ion Beam Services
IBS IMC-200(400)/IMC-200(400)P/IMC-200(400)RD
![](https://ckto-promproekt.ru/new/wp-content/uploads/2023/04/IMC-200_400_P_RD.png)
- Установка ионной имплантации для специальных применений (IMC-200), серийного производства (IMC-200P), НИОКР и мелкосерийного производства (IMC-200RD). Для средних и крупных серий предназначена также модель IHC-160P
- Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин Si, SiC, GaAs, InSb, Al2O3 и других для производства изделий микроэлектроники
- Загрузка: ручная (IMC-200, IMC-200RD) или автоматизированная (IMC-200P)
- Подложки: от 1 см2 до ø 150 мм (пластины – до ø 200 мм)
- Высоковакуумная процессная камера
- Подложкодержатель с механическим зажимом пластин
- Возможный диапазон температур подложек: (-150÷600) °С
- Ток пучка ионов: 0,15 мА (11В); 0,3 мА (75As, 31P); возможен до 1,5 мА
- Диапазон энергий: (2÷210) кэВ – для серии 200; (2÷400) кэВ – для серии 400
- Диапазон доз: (1·1011÷2·1018) 1/см2
- Диапазон углов имплантации: (0÷45)°
- Использование косвенно нагретого катода (IHC)
- Система электростатического сканирования
- Максимальное напряжение ускорителя: ≥180 кВ
- Возможность имплантации с двойным зарядом
- Газовые линии с РРГ: до 8-ми
- Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, H2, Ar, N2 и другие
- Очищенный сухой сжатый воздух
- Вытяжная вентиляция
- Чиллер водяного охлаждения
- Система управления: компьютерная
- Вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, форвакуумные насосы
- Размеры: 5000×3000×2700 мм
- Вес: около 10000 кг
- Опции: система роботизированной загрузки (на 25 пластин); дополнительная система загрузки (одновременное наличие ручной и автоматизированной загрузки); возможность использования твердотельных (например, Al, Yb, Te и другие) и жидких источников (например, CCl4, TiCl4 и других) для имплантации; система нагрева подложек; системы охлаждения подложек водой и жидким азотом (-150°С); генератор водорода; гелиевый компрессор для криогенных насосов; система подготовки деионизованной воды
IBS FLEXion 200/400/400-SiC
![](https://ckto-promproekt.ru/new/wp-content/uploads/2023/04/FLEXion200_400_400-SiC.png)
- Установка среднетоковой ионной имплантации для применения от НИОКР до среднесерийного производства
- Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин SiC, HgCdTe, GaAs, GaN и других для производства силовых устройств, изделий оптоэлектроники, инфракрасной оптики и т.д.
- Загрузка: ручная или автоматизированная
- Подложки: образцы до 200 мм и пластины до ø 200 мм
- Высоковакуумная процессная камера
- Термостабилизируемый подложкодержатель
- Температура пластины: до 650°С (SiC)
- Система быстрого нагрева / охлаждения подложкодержателя
- Ток пучка ионов: до 0,9 мА (вариант – до 3 мА)
- Диапазон энергий: (3÷400) кэВ – для однозарядных ионов; возможена до 1,2 МэВ
- Диапазон доз: (5·1010÷5·1018) 1/см2
- Угол поворота подложки: (0÷90)°
- Использование косвенно нагретого катода (IHC)
- Ионные источники для имплантации: Al, Be и др.
- Газовые линии с РРГ: до 8-ми
- Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, Ar, N2 и другие
- Очищенный сухой сжатый воздух
- Вытяжная вентиляция
- Охлаждение подложкодержателя жидким N2 до температуры (-100) °С
- Система управления: компьютерная
- Вакуумная система: турбомолекулярные, криогенные, форвакуумные насосы
IBS PULSION HP / PULSION Nano
![](https://ckto-promproekt.ru/new/wp-content/uploads/2023/04/PULSION_HP-PULSION_Nano.png)
- Установки плазменной иммерсионной ионной имплантации, сочетающие низкую энергию ионов и высокую дозу, для НИОКР, опытного (PULSION Nano) и серийного производства (PULSION HP)
- Назначение: внесение точного количества требуемых ионных примесей на необходимую глубину в поверхностный слой пластин poli-Si, КНО, SiGe, SiC, соединений III-V и других для производства полупроводниковых наноустройств (PULSION Nano), изготовления 3D-устройств, силовых приборов, солнечных элементов, транзисторов со сверхмеркими переходами, плавниковых полевых транзисторов, компенсирующего легирования поликремниевых затворов ДЗУПВ с возможностью точного контроля глубины легирования
- Загрузка: ручная (PULSION Nano) или автоматизированная (PULSION Nano, PULSION HP)
- Пластины: ø 100 мм, ø 150 мм, ø 200 мм, ø 300 мм (в зависимости от модификации)
- Производительность: 100 пл/ч (PULSION HP с 4-мя камерами)
- Высоковакуумная процессная камера из алюминиевого сплава: (1÷2)шт – PULSION Nano; (1÷4)шт – PULSION HP
- Камера пассивации / дегазации
- Вращающийся подложкодержатель
- Температура пластины: до 500°С
- Источник удаленной индуктивно-связанной плазмы
- Диапазон энергий: (0,1÷10) кэВ; опционно – до 50 кэВ
- Диапазон доз: (1·1014÷1·1018) 1/см2
- Система подачи жидких источников (например, TMA и других) для имплантации
- Газовые линии с РРГ: до 6-ти на каждую камеру
- Применяемые газы: AsH3, PH3, BF3, B2H6, SiH4, SiF4, GeH4, GeF4, CH4, CF4, O2, H2, SF6, He, Ar, N2 и другие
- Очищенный сухой сжатый воздух
- Вытяжная вентиляция
- Чиллер для охлаждения подложкодержателя: 4 кВт
- Система управления: компьютерная
- Вакуумная система: турбомолекулярные, безмасляные форвакуумные насосы
Презентации
Показать
Инженерное оборудование
Показать
Технологическое оборудование
Показать
- Carbolite Gero GmbH
- CRYSTAL Systems
- FCT SYSTEME
- Nabertherm
- SALE
- АО «Монокристалл»
- Гиредмет
- Главная
- ЗАВОД «КРИСТАЛЛ»
- Имплантация
- Лицензии
- О компании
- Оборудование
- Оборудование
- Партнеры
- Планаризация
- Проектирование промышленных объектов
- Проектирование чистых помещений
- Реализованные объекты. Научные исследования
- Реализованные объекты. Радиоэлектронное приборостроение
- Реализованные объекты. Фотовольтаика, энергетика, материаловедение
- Реализованные объекты. Электронная промышленность
- Рост слитков
- Термобарокамеры (камеры пониженного давления)
- Термострессовые виброкамеры AST
- Термошоковые климатические камеры серии ATS
- Услуги
- ФГУП ЭЗАН
- Эпитаксия
- Контакты
© СКТО Промпроект 2001-2024