• Установка осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система мос-гидридной эпитаксии для массового производства
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, идеально для GaN
• Кассеты для пластин: 10 x 6″ или 6 x 8″

далее

• Установка осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система мос-гидридной эпитаксии для массового производства
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, идеально для GaN
• Автоматизированная система обработки деталей с максимальной производительностью

далее

• Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaN
• Кассеты для пластин: 10 x 2″ или 8 х 3”;

далее

• Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaN
• Кассеты для пластин: 12 x 3″ или 5 х 6”;

далее

• Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства и НИОКР
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, УФ-светодиодов, полевых транзисторов, НЕМТ, HBT, идеально для GaN
• Кассеты для пластин:  6 x 2″ или 3 x 3″ или 1 x 6″

далее

• Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства и НИОКР
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, УФ-светодиодов, полевых транзисторов, НЕМТ, HBT, идеально для GaN
• Кассеты для пластин:  3 x 2″ или 1 x 4″

далее

• Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система мос-гидридной эпитаксии для мелкосерийного производства и НИОКР
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, УФ-светодиодов, полевых транзисторов, НЕМТ, HBT, идеально для GaN
• Кассеты для пластин: 1 x 2″

далее

• Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система мос-гидридной эпитаксии для НИОКР
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
• Кассеты для пластин:  1 х 2” или 1 х 3”

далее

• Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система мос-гидридной эпитаксии для НИОКР
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
• Кассеты для пластин: 3 х 2” или 1 х 4”

далее

• Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система мос-гидридной эпитаксии для НИОКР и мелкосерийного производства
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
• Кассеты для пластин:  11 х 2” или 6 х 3” или 3 х 4” или 1 х 8”

далее

• Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система мос-гидридной эпитаксии для НИОКР и мелкосерийного производства
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
• Кассеты для пластин: 19 х 2” или 9 х 3” или 3 х 6”

далее

• Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система BRC мос-гидридной эпитаксии для НИОКР и мелкосерийного производства
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
• Кассеты для пластин: 1 х 1″ ～ 4″ или 3 х 2″

далее

• Установки осаждения металлорганических соединений из газовой фазы
• Система BMC для массового производства
• Для широкого спектра полупроводниковых материалов, оптических приборов, LDs, LED, FETs, идеально для GaAs / IP
• Кассеты для пластин:  42 х 2″ ～ 6 х 6″

далее