АО «НТО»(SemiTEq®)

STE35R

  • Роботизированная технологическая платформа для серийного выпуска гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии
  • Назначение: для выращивания широкого спектра гетероструктур в системах материалов A3B5, A2B6, A3N, а также гибридных наногетероструктур A3B5/ A2B6
  • Кластер из нескольких ростовых камер со сверхвысоковакуумным роботизированным транспортом
  • Подложки: пластины до ø150 мм
  • Порт быстрой загрузки со смотровым окном
  • Тип загрузки пластин: автоматическая
  • Накопитель держателей подложки: на 8 позиций
  • Система предварительного отжига держателей
  • Перчаточный бокс инертной атмосферы, совмещённый с портом быстрой загрузки
  • Максимальная загрузка: ø100 мм – 1шт., ø150 мм – 1шт.
  • Камера предварительной подготовки с водяным охлаждением содержит: промежуточный накопитель держателей подложки на 7 позиций; высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN с высокой динамикой нагрева подложки до 650 °C и охлаждения
  • Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN ростовой камеры с высокой динамикой нагрева подложки до 1200 °C и охлаждения
  • Скорость вращения держателя подложки: ≤1об/с
  • Возможность изменения ростовой геометрии
  • Количество портов с заслонками в ростовой камере для установки источников материалов: 10 или 12
  • Виды применяемых источников: вентильные источники As, Sb, P; газовый инжектор CBr4 с возможностью нагрева; плазменный источник N2; молекулярные источники с однозонным нагревом тигля; молекулярные источники Al, Ga, In и др. с двузонным нагревом тигля (конического или SUMO типа); молекулярные источники легирующих компонентов Si, Be, Mg и др.
  • Ростовой манипулятор
  • Предельный вакуум в ростовой камере: <5∙10-11мм.рт.ст
  • Расход жидкого азота при циклической работе: <(20÷25) л/ч
  • Системы контроля: система дифракции быстрых электронов (RHEED) с видеокамерой высокого разрешения; анализатор остаточной атмосферы; инфракрасный оптический пирометр; лазерный интерферометр; датчик потока Байярда-Альперта
  • Микропроцессорная система управления
  • Специализированное ПО: контроль параметров процесса в реальном времени, дистанционное управление перемещениями манипулятора, визуализация всех параметров управления и контроля в виде графиков
  • Вакумная система: основная азотная криопанель, окружающая зону роста и источники материалов; дополнительная криопанель, окружающая ростовой манипулятор; система откачки, сконфигурированная с учетом применения установки (криогенный, сублимационный, ионный, турбомолекулярный (в т.ч. коррозионно-стойкое исполнение), форвакуумный спиральный насосы); вакуумметр Байярда-Альперта; датчик Пирани

STE3N (STE3N3 и STE3N2)

  • Технологическая платформа для выращивания гетероструктур на основе соединений A3N методом молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР и пилотного производства
  • Назначение: для выращивания полупроводниковых гетероструктур на основе соединений A3N, получение активных слоев полупроводниковых приборов с рекордно низкой для МЛЭ плотностью дисклокаций, выращивания толстых высококачественных буферных слоев AlN/AlGaN с использованием аммиака в качестве источника азота
  • STE3N3 – трехкамерная установка: шлюзовая камера, буферная сверхвысоковакуумная камера подготовки, ростовая камера. STE3N2 – двухкамерная установка: шлюзовая камера, ростовая камера.
  • Подложки: пластины до ø150 мм
  • Шлюзовая камера: окно быстрой загрузки с боксом инертной атмосферы, накопитель держателей подложки до 8 позиций, система контролируемого напуска азота / предварительной откачки.
  • Тип загрузки пластин: ручная / полуавтоматическая
  • Накопитель держателей подложки: на 8 позиций
  • Перчаточный бокс инертной атмосферы, совмещённый с портом быстрой загрузки
  • Максимальная загрузка: ø100 мм – 1шт., ø150 мм – 1шт.
  • Камера предварительной подготовки с водяным охлаждением содержит: промежуточный накопитель держателей подложки на 7 позиций; высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN с высокой динамикой нагрева подложки до до 450 °С (опционно – до 1100 °С) и охлаждения.
  • Вертикально ориентированная ростовая камера: две азотные криопанели увеличенной площади, ростовой манипулятор, молекулярные источники с заслонками, оборудование для in-situ мониторинга процесса роста
  • Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN ростовой камеры с высокой динамикой нагрева подложки до 1200 °C и охлаждения
  • Количество портов с заслонками в ростовой камере для установки источников материалов: 7, 8 или 10
  • Виды применяемых источников: плазменный источник N2; газовый инжектор NH3 с возможностью нагрева; молекулярные источники с однозонным нагревом тигля; молекулярные источники Al, Ga, In специальной конструкции, предотвращающей «creeping» – эффект; молекулярные источники легирующих компонентов Si, Mg
  • Моторизованная система сверхвысоковакуумного транспорта подложек для их перемещения по всей установке
  • Ростовой манипулятор без танталовых деталей: трехстепенная система позиционирования держателя подложки ростовой поверхностью вниз с возможностью коррекции ростовой геометрии путем вертикального перемещения подложки. Обеспечивает продолжительное вращение подложки, нагретой до температуры >1200°С со скоростью вращения держателя подложки ≤1об/с. Ростовой манипулятор снабжен «главной» заслонкой.
  • Предельный вакуум в ростовой камере: <5∙10-11мм.рт.ст
  • Расход жидкого азота при циклической работе: <(25÷35) л/ч
  • Системы контроля: система дифракции быстрых электронов (RHEED) с видеокамерой высокого разрешения; анализатор остаточной атмосферы; инфракрасный оптический пирометр; лазерный интерферометр; датчик потока Байярда-Альперта
  • Водяное охлаждение
  • Микропроцессорная система управления
  • Система управления технологическим процессом: специализированное ПО, контроль параметров процесса в реальном времени, дистанционное управление перемещениями манипулятора, визуализация всех параметров управления и контроля в виде графиков
  • Вакумная система: основная азотная криопанель, окружающая зону роста и источники материалов; дополнительная криопанель, окружающая ростовой манипулятор; система откачки, сконфигурированная с учетом применения установки (криогенный, сублимационный, турбомолекулярный (в т.ч. коррозионно-стойкое исполнение на магнитном подвесе), форвакуумный спиральный насосы, ионный насос поддержки производительностью 300 л/с); вакуумметр Байярда-Альперта; датчик Пирани. Для предварительной откачки шлюзовой камеры используется двухступенчатая безмаслянная откачка (спиральный + турбомолекулярный насосы, скомпонованные в мобильный откачной пост).
  • Компактный «footprint» для двухкамерной установки STE3N2
  • Опционно: комплектация плазменным источником азота в комбинации с инжектором аммиака для выращивания активных слоев InGaN, InAlN и AlGaN:Mg; крионасос для высокотемпературного исполнения; плазменный источник водорода для дополнительной очистки поверхности подложек перед ростом.

STE35

  • Полуавтоматизированная технологическая платформа для выращивания гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии для НИОКР
  • Назначение: для прецизионного выращивания полупроводниковых эпитаксиальных слоев на основе соединений A3B5, A2B6 или A3N
  • Подложки: пластины до ø150 мм
  • Порт быстрой загрузки со смотровым окном
  • Тип загрузки пластин: ручная / полуавтоматическая
  • Накопитель держателей подложки: на 8 позиций
  • Система предварительного отжига держателей
  • Перчаточный бокс инертной атмосферы, совмещённый с портом быстрой загрузки
  • Максимальная загрузка: ø100 мм – 1шт., ø150 мм – 1шт.
  • Камера предварительной подготовки с водяным охлаждением содержит: промежуточный накопитель держателей подложки на 7 позиций; высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN с высокой динамикой нагрева подложки до 650 °C и охлаждения.
  • Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN ростовой камеры с высокой динамикой нагрева подложки до 1200 °C и охлаждения
  • Скорость вращения держателя подложки: ≤1об/с
  • Возможность изменения ростовой геометрии
  • Количество портов с заслонками в ростовой камере для установки источников материалов: 10 или 12
  • Виды применяемых источников: вентильные источники As, Sb, P; газовый инжектор CBr4 с возможностью нагрева; плазменный источник N2; молекулярные источники с однозонным нагревом тигля; молекулярные источники Al, Ga, In и др. с двузонным нагревом тигля (конического или SUMO типа); молекулярные источники легирующих компонентов Si, Be, Mg и др.
  • Ростовой манипулятор
  • Предельный вакуум в ростовой камере: <5∙10-11мм.рт.ст
  • Расход жидкого азота при циклической работе: <(20÷25) л/ч
  • Системы контроля: система дифракции быстрых электронов (RHEED) с видеокамерой высокого разрешения; анализатор остаточной атмосферы; инфракрасный оптический пирометр; лазерный интерферометр; датчик потока Байярда-Альперта
  • Микропроцессорная система управления
  • Специализированное ПО: контроль параметров процесса в реальном времени, дистанционное управление перемещениями манипулятора, визуализация всех параметров управления и контроля в виде графиков
  • Вакумная система: основная азотная криопанель, окружающая зону роста и источники материалов; дополнительная криопанель, окружающая ростовой манипулятор; система откачки, сконфигурированная с учетом применения установки (криогенный, сублимационный, ионный, турбомолекулярный (в т.ч. коррозионно-стойкое исполнение), форвакуумный спиральный насосы); вакуумметр Байярда-Альперта; датчик Пирани.

STE3526

  • Двухреакторный комплекс для выращивания гибридных наногетероструктур А3В5/А2В6 методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) для НИОКР и мелкосерийного экспериментального производства в режиме “lab to fab”
  • Назначение: для выращивания эпитаксиальных наноструктур на основе широкозонных материалов А2В6 (Cd(Zn)Se/ZnMgSSe) c использованием предварительно выращенных в А3В5-реакторе высококачественных буферных слоев GaAs
  • Подложки: пластины ø50 мм, ø76 мм, ø100 мм
  • Состав: ростовая камера А3В5 с блоком молекулярных источников; ростовая камера А2В6 с блоком молекулярных источников; камера подготовки с возможностью предварительного удаления окисла с подложки GaAs; буферная камера с накопителем; шлюзовая камера с накопителем и фланцем быстрой загрузки; полуавтоматизированная система сверхвысоковакуумного транспорта подложек между реакторами
  • Максимальная загрузка: ø50 мм – 3шт., ø76 мм – 1шт., ø100 мм – 1шт.
  • Температура обезгаживания подложки в камере предварительной подготовки: ≥650 °С
  • Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN ростовой камеры с температурой прогрева камер роста: ≥200 °С
  • Максимальная рабочая температура ростового манипулятора: ≥900 °С
  • Корректируемая ростовая геометрия, расстояние «источник-подложка»: (135÷210) мм
  • Виды применяемых источников: вентильные источники летучих материалов (As, Se, S) и др.
  • Конструкция приводов заслонок источников: поворотный механизм на основе магнитного ввода вращения с безударным пневмоприводом
  • Предельный остаточный вакуум в камере роста после прогрева: <5×10-11 Торр
  • Системы контроля: insitu мониторинг процесса роста – система дифракции быстрых электронов (RHEED); датчик потоков БайярдаАльперта в сочетании с «главной» заслонкой ростового манипулятора; RGA; пирометр
  • Микропроцессорная система управления
  • Система управления технологическим процессом: специализированное ПО

STE3532

  • Трехкамерная установка для выращивания эпитаксиальных слоев в системах A3B5 методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ)  для НИОКР и мелкосерийного экспериментального производства гетероструктур в режиме “lab to fab”
  • Назначение: для прецизионного выращивания полупроводниковых эпитаксиальных слоев в системе InAlGaAs/GaAs для опто- и микроэлектроники
  • Подложки: пластины ø50 мм, ø76 мм, ø100 мм
  • Шлюзовая камера: окно быстрой загрузки с боксом инертной атмосферы, накопитель держателей подложки до 8 позиций, система контролируемого напуска азота / предварительной откачки (ионный насос — 300 л/с).
  • Максимальная загрузка: ø50 мм – 3шт., ø76 мм – 1шт., ø100 мм – 1шт.
  • Камера предварительной подготовки с водяным охлаждением содержит: узел прогрева подложки до 650 °С для предварительного обезгаживания и удаления окисла с подложки GaAs и охлаждения. 
  • Вертикально ориентированная ростовая камера: две азотные криопанели увеличенной площади, ростовой манипулятор, молекулярные источники с заслонками, оборудование для in-situ мониторинга процесса роста.
  • Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN ростовой камеры с высокой динамикой нагрева подложки до 1200 °C и охлаждения позволяет реализовать резкие температурные профили при росте материалов с существенно различающейся температурой роста, например InGaAs в матрице AlGaAs
  • Количество портов с заслонками в ростовой камере для установки источников материалов: до 12-ти
  • Центральный порт: без заслонки
  • Виды применяемых источников: вентильный источник мышьяка с возможностью крекинга; специализированные молекулярные источники Al (cold lip) для устойчивой работы и Ga (hot lip) для получения структур с малой плотностью ростовых дефектов
  • Конструкция приводов заслонок источников: поворотный механизм на основе магнитного ввода вращения с безударным пневмоприводом
  • Материал лопастей заслонок: тантал (стандартно); молибден, PBN — опция
  • Моторизованная система сверхвысоковакуумного транспорта подложек для их перемещения по всей установке
  • Ростовой манипулятор: трехстепенная система позиционирования держателя подложки ростовой поверхностью вниз во время транспортировки из шлюза и в процессе роста с возможностью коррекции ростовой геометрии путем вертикального перемещения подложки. Обеспечивает продолжительное вращение подложки, нагретой до температуры >900 °С со скоростью вращения держателя подложки ≤1об/с. Ростовой манипулятор снабжен «главной» заслонкой.
  • Расстояние «источник-подложка»: (135÷210) мм
  • Предельный остаточный вакуум в камере роста после прогрева: <5×10-11 Торр
  • Системы контроля: insitu мониторинга процесса роста – система дифракции быстрых электронов (RHEED); масс-спектрометр; инфракрасный оптический пирометр
  • Водяное охлаждение
  • Микропроцессорная система управления
  • Система управления технологическим процессом: специализированное ПО
  • Вакумная система: для ростовой камеры – ионный насос (800 л/с) с криопанели и сублимационный насос,  остальные камеры – ионные насосы. Для предварительной откачки шлюзовой камеры используется двухступенчатая безмаслянная откачка (спиральный + турбомолекулярный насосы, скомпонованные в мобильный откачной пост).
  • Опционно: дополнительные молекулярные источники эффузионного типа (тигли 5, 15, 25, 35, 60 см3); источник атомарного водорода в комплекте с турбомолекулярным насосом; лазерный интерферометр; датчик потока Байярда-Альперта; плазменный источник водорода в камеру подготовки для дополнительной очистки поверхности подложек перед ростом; блоки питания к дополнительным молекулярным источникам; дополнительный комплект держателей подложки; стартовый комплект материалов для начала ростовых экспериментов (Ga, Al, In, Si, Be, подложки GaAs, InP); система подачи жидкого азота в установку.

STE75

  • Универсальная компактная трехкамерная установка для выращивания гетероструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии для НИР и НИОКР по приборной тематике
  • Назначение: для выращивания полупроводниковых гетероструктур на основе широкого спектра полупроводниковых соединений A3B5, широкозонных соединений A2B6 или в специальном исполнении – A3N
  • Подложки: пластины ø50,8 мм (опционно после модернизации – до ø100 мм)
  • Тип загрузки пластин: ручная
  • Накопитель держателей подложки: на 3 позиции
  • Перчаточный бокс инертной атмосферы, совмещённый с портом быстрой загрузки
  • Максимальная загрузка: ø3’’ – 1шт.
  • Камера предварительной подготовки с водяным охлаждением содержит: промежуточный накопитель держателей подложки на 6 позиций; высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN с высокой динамикой нагрева подложки до 800 °C и охлаждения; независимая система откачки на основе ионного насоса
  • Возможность предварительного отжига подложки в камере подготовки
  • Высокотемпературный нагреватель PBN/PG/PBN ростовой камеры с высокой динамикой нагрева подложки до 1200 °C и охлаждения
  • Скорость вращения держателя подложки: ≤1об/с
  • Количество портов с заслонками в ростовой камере для установки источников материалов: десять
  • Количество портов без заслонок в ростовой камере для средств in-situ аналитики процесса: четыре
  • Виды применяемых источников: вентильные источники As, Sb, P; газовый инжектор NH3 или CBr4 с возможностью нагрева; плазменный источник N2; молекулярные источники с однозонным нагревом тигля; молекулярные источники Al, Ga, In и др. с двузонным нагревом тигля (конического или SUMO типа); молекулярные источники легирующих компонентов Si, Be, Mg и др.
  • Количество источников: 8 шт.
  • Температура прогрева камер роста и предварительной подготовки: ≥200 °С
  • Ростовой манипулятор
  • Максимальная рабочая температура ростового манипулятора: для соединений А3В5/А2В6 – ≥900 °С, для соединений А3N – ≥1250 °С
  • Скорость роста: до 2 мкм/ч
  • Предельный вакуум в ростовой камере после прогрева: <5∙10-11Торр
  • Расход жидкого азота при циклической работе: <(10÷15) л/ч
  • Система автоматизированного сверхвысоковакуумного транспорта подложкодержателей между камерами
  • Системы контроля: in-situ система дифракции быстрых электронов (RHEED) с видеокамерой высокого разрешения; анализатор остаточной атмосферы; инфракрасный оптический пирометр; лазерный интерферометр; датчик потока Байярда-Альперта
  • Микропроцессорная система автоматизированного управления процессом эпитаксиального роста
  • Водяное охлаждение
  • Специализированное ПО: контроль параметров процесса в реальном времени, дистанционное управление перемещениями манипулятора, визуализация всех параметров управления и контроля в виде графиков;
  • Вакумная система: единая азотная криопанель; система откачки, сконфигурированная с учетом применения установки (криогенный, сублимационный, ионный, турбомолекулярный (в т.ч. коррозионно-стойкое исполнение), форвакуумный спиральный насосы); вакуумметр Байярда-Альперта; датчик Пирани
  • Опционно: ростовая камера с 12 портами; комплект подложкодержателей