АО «НИИТМ»

ЭПИФАЗ ТМ 200-01

  • Установка газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для мелкосерийного производства
  • Назначение: для группового газофазного осаждения слоев из металлоорганических соединений для эпитаксиального роста гетероструктур на основе III-N материалов для силовых приборов и СВЧ транзисторов: осаждение высокоомных буферных слоев GaN легированных Fe и С; осаждение пассивирующего Si3N4 покрытия непосредственно в эпитаксиальном реакторе на подложки Si, Al2O3, SiC
  • Подложки: пластины ø50мм, ø76мм, ø100мм, ø150мм, ø200мм
  • Перчаточный бокс для загрузки-выгрузки подложек (экспериментальный вариант — роботизированная транспортная система загрузки-выгрузки подложек)
  • Тип загрузки пластин: ручная
  • Объем загрузки пластин: ø50 мм – 13 шт., ø76 мм – 7 шт., ø100 мм – 3 шт., ø150 мм – 1шт., ø200 мм – 1 шт.
  • Рабочая температур: ≤1150 °С
  • Контроль толщины и прогиба структуры во время роста (in-situ)
  • Микропроцессорная система управления
  • Отечественное ПО: контроль ростовых параметров, безопасности процесса и анализ состояния всех элементов установки
  • Электроэнергия: 380/220 В, 3ф, 50 Гц, ≤80 кВт

ЭПИКВАР ТМ

  • Установка газофазной эпитаксии для серийного производства
  • Назначение: для группового газофазного осаждения моно- и поликристаллических слоев кремния в широком диапазоне толщин и удельных сопротивлений на монокристаллические подложки кремния или сапфира хлоридным или хлоридно-гидридным методом
  • Подложки: пластины ø50 мм, ø76 мм, ø100 мм
  • Тип загрузки/выгрузки пластин: ручная
  • Кварцевый реактор: цилиндрический
  • Графитовый держатель пластин
  • Объем загрузки пластин: ø100 мм – 24 шт.
  • Нагрев пластин: индукционно-радиационный
  • Преобразователь частоты для питания индуктора: ≤160 кВт, 8 кГц
  • Рабочая температур: ≤1200 °С
  • Рабочие газы: SiCl₄, H₂, N₂, HСl
  • Система непрерывной подачи кремнийсодержащего вещества (танк)
  • Испаритель(барботер) кремнийсодержащего вещества
  • Микропроцессорная система управления
  • Нейтрализации отработанных продуктов: жидкостной скруббер
  • Электроэнергия: 380/220 В, 3ф, 50 Гц, ≤160 кВт

ЭПИГРАН ТМ

  • Установка жидкофазной эпитаксии для НИОКР и мелкосерийного производства
  • Назначение: для поштучного получение эпитаксиальных ферро-гранатовых, цилиндрических магнитных доменных (ЦМД) и других структур из жидкой фазы
  • Подложки: пластины ø76 мм, ø100 мм
  • Тип загрузки пластин: ручная, поштучная
  • Количество зон нагрева печи: 5
  • Количество зон нагрева тигля: 1
  • Рабочая температур: (300÷1250) °С
  • Микропроцессорная система управления
  • Электроэнергия: 380/220 В, 3ф, 50 Гц, ≤17 кВт

ЭПИСЕНД ТМ

  • Назначение: для группового осаждения сверхтолстых поликристаллических слоев кремния из твердого источника на монокристаллические подложки кремния или сапфира
  • Подложки: пластины ø50 мм, ø76 мм, ø100 мм
  • Тип загрузки/выгрузки пластин: ручная
  • Кварцевый реактор: цилиндрический
  • Графитовый держатель пластин
  • Объем загрузки пластин: ø100 мм – 3 шт.
  • Нагрев пластин: индукционно-радиационный
  • Преобразователь частоты для питания индуктора: ≤60 кВт, 22 кГц
  • Рабочая температур: ≤1200 °С
  • Рабочие газы: H₂, N₂, HСl
  • Твердый источник кремнийсодержащего вещества
  • Микропроцессорная система управления
  • Нейтрализации отработанных продуктов: жидкостной скруббер
  • Электроэнергия: 380/220 В, 3ф, 50 Гц, ≤60 кВт