• Высокопроизводительная установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
• Технологии: с атмосферным или пониженным давлением в реакторах
• Размер обрабатываемых пластин: 6″, 8″
• Доступными процессами являются соединения на основе кремния, такие как кремний (Si), кремний-германий (SiGe)

далее

• Высокопроизводительная установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
• Технологии: с атмосферным или пониженным давлением в реакторах
• Размер обрабатываемых пластин: 12”
• Доступными процессами являются соединения на основе кремния, такие как кремний (Si), кремний-германий (SiGe)

далее

• Высокопроизводительная установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
• Платформа XP пониженного давления
• Размер обрабатываемых пластин: 12”
• Доступными процессами являются соединения на основе кремния, такие как кремний (Si), кремний-германий (SiGe), карбид кремния (SiC) и другие соединения на основе кремния.

далее

• Высокопроизводительная установка газофазной эпитаксии для полупроводникового производства
• Платформа XP пониженного давления
• Размер обрабатываемых пластин: 12”
• Доступными процессами являются соединения на основе кремния, такие как кремний (Si), кремний-германий (SiGe) и кремний-фосфор (SiP).

далее